4 奈米大戰,三星搶先用 EUV、擁抱 GAAFET

作者 | 發布日期 2017 年 11 月 30 日 11:20 | 分類 Samsung , 晶片 , 零組件 follow us in feedly

晶圓代工之戰,7 奈米製程預料由台積電勝出,4 奈米之戰仍在激烈廝殺。外媒稱,三星電子搶先使用極紫外光(EUV)微影設備,又投入研發能取代「鰭式場效電晶體」(FinFET)的新技術,目前看來似乎較占上風。



Android Authority 報導,製程不斷微縮,傳統微影技術來到極限,無法解決更精密的曝光顯像需求,必須改用波長更短的 EUV,才能準確刻蝕電路圖。5 奈米以下製程,EUV 是必備工具。三星明年生產 7 奈米時,就會率先採用 EUV,這有如讓三星在 6 奈米以下的競賽搶先起跑,可望加快發展速度。

相較之下,台積電和格羅方德(GlobalFoundries)的第一代 7 奈米製程,仍會使用傳統的浸潤式微影技術,第二代才會使用 EUV。

製程微縮除了需擁抱 EUV,也需開發 FinFET 技術接班人。電晶體運作是靠閘極(gate)控制電流是否能夠通過,不過晶片越做越小,電流通道寬度不斷變窄,難以控制電流方向,未來 FinFET 恐怕不敷使用,不少人認為「閘極全環場效電晶體」(Gate-all-around FET,GAAFET)是最佳解決方案。

今年稍早,三星、格羅方德和 IBM 攜手,發布全球首見的 5 奈米晶圓技術,採用 EUV 和 GAAFET 技術。三星路徑圖也估計,FinFET 難以在 5 奈米之後使用,4 奈米將採用 GAAFET。儘管晶圓代工研發不易,容易遇上挫折延誤,不過目前看來三星進度最快。該公司的展望顯示,計劃最快在 2020 年生產 4 奈米,進度超乎同業,也許有望勝出。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:shutterstock)

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