4 奈米大戰，三星搶先用 EUV、擁抱 GAAFET

晶圓代工之戰，7 奈米製程預料由台積電勝出，4 奈米之戰仍在激烈廝殺。外媒稱，三星電子搶先使用極紫外光（EUV）微影設備，又投入研發能取代「鰭式場效電晶體」（FinFET）的新技術，目前看來似乎較占上風。

Android Authority 報導，製程不斷微縮，傳統微影技術來到極限，無法解決更精密的曝光顯像需求，必須改用波長更短的 EUV，才能準確刻蝕電路圖。5 奈米以下製程，EUV 是必備工具。三星明年生產 7 奈米時，就會率先採用 EUV，這有如讓三星在 6 奈米以下的競賽搶先起跑，可望加快發展速度。

相較之下，台積電和格羅方德（GlobalFoundries）的第一代 7 奈米製程，仍會使用傳統的浸潤式微影技術，第二代才會使用 EUV。

製程微縮除了需擁抱 EUV，也需開發 FinFET 技術接班人。電晶體運作是靠閘極（gate）控制電流是否能夠通過，不過晶片越做越小，電流通道寬度不斷變窄，難以控制電流方向，未來 FinFET 恐怕不敷使用，不少人認為「閘極全環場效電晶體」（Gate-all-around FET，GAAFET）是最佳解決方案。

今年稍早，三星、格羅方德和 IBM 攜手，發布全球首見的 5 奈米晶圓技術，採用 EUV 和 GAAFET 技術。三星路徑圖也估計，FinFET 難以在 5 奈米之後使用，4 奈米將採用 GAAFET。儘管晶圓代工研發不易，容易遇上挫折延誤，不過目前看來三星進度最快。該公司的展望顯示，計劃最快在 2020 年生產 4 奈米，進度超乎同業，也許有望勝出。

（本文由 MoneyDJ新聞授權轉載；首圖來源：shutterstock）