在先進製程的發展，台積電與三星一直有著激烈的競爭，雖然台積電已經宣布將在 2020 年正式量產 5 奈米製程，不過三星也不甘示弱，預計透過新技術的研發，在 2021 年推出 3 奈米製程的產品。根據三星表示，其將推出的 3 奈米製程產品將比當前的 7 奈米製程產品效能提升 35%，能耗也再降低 50%，且晶片的面積也再減少 45%。
根據外媒報導，三星 14 日於美國加州所舉辦的晶圓製造論壇（Samsung Foundry Forum）宣布，目前三星正在開發一項名為「環繞閘極」（gate all around，GAA）的技術，這個被稱為當前 FinFET 技術進化版的生產技術，能夠對晶片核心的電晶體進行重新設計和改造，使其更小更快。三星指出，預計 2021 年透過這項技術所推出的 3 奈米製程技術，將能使得三星在先進製程方面與台積電及英特爾進行抗衡，甚至超越。而且，能夠解決晶片製造縮小過程中所帶來的工程難題，以延續摩爾定律的持續發展。
而根據國際商業戰略諮詢公司（International Business Strategies）執行長 Handel Jones 表示，目前三星正透過強大的材料研究讓晶圓製造技術獲得發展。而在 GAA 的技術發展，三星大約領先台積電一年，英特爾封面則落後三星 2~3 年。三星也強調，GAA 技術的發展能夠期待未來有更好的圖形技術，人工智慧及其他運算的進步，以確保未來包括智慧型手機、手錶、汽車、以及智慧家庭產品都能夠有更好的效能。
之前三星就宣布將在未來 10 年內投資1,160 億美元（約新台幣 3.5 兆元）發展非記憶體項目的半導體產業，以成為全球半導體產業霸主。透過 GAA 技術發展的 3 奈米製程技術就是其中重要的關鍵。三星希望藉此吸引包括蘋果、NVIDIA、高通、AMD 等目前台積電客戶的青睞，以獲取更多晶圓生產商機。
（首圖來源：三星）
