Tag Archives: 3D-NAND Flash

無懼疫情,傳鎧俠照計畫增產投資打造 3D NAND 新廠

作者 |發布日期 2020 年 05 月 27 日 11:15 | 分類 記憶體 , 零組件

新型冠狀病毒(COVID-19,俗稱武漢肺炎)疫情擴散,雖導致智慧手機等產品需求萎縮,不過因來自資料中心的需求揚升,也讓全球第二大 NAND 型快閃記憶體(Flash Memory)廠商鎧俠(Kioxia,舊稱東芝記憶體)傳出無懼疫情影響,將如原先計畫增產投資,打造 3D NAND Flash 新廠房。 繼續閱讀..

美國加大對中國華為出口管制,吳敏求:旺宏出貨一切正常

作者 |發布日期 2020 年 05 月 18 日 22:05 | 分類 中國觀察 , 國際貿易 , 記憶體

記憶體大廠旺宏董事長吳敏求指出,針對美國擴大對中國華為的限制,目前對旺宏沒有任何的影響,出貨一切正常。針對下半年的狀況,由於美中貿易戰的升溫,加上武漢肺炎疫情的影響,當前的確看不清楚。不過,旺宏在 NAND Flash 及 Nor Flash 的發展上,目前都按照著規畫進度進行中。

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期望拉大與競爭對手差距,三星積極研發 160 層堆疊 3D NAND Flash

作者 |發布日期 2020 年 04 月 17 日 15:55 | 分類 Samsung , 記憶體 , 零組件

就在日前,中國記憶體廠長江存儲正式發表 128 層 TLC/QLC NAND Flash 快閃記憶體之後,目前市場上的記憶體龍頭──南韓三星也正緊鑼密鼓的研發下一代 3D NAND Flash 快閃記憶體,預計其對疊層數可高達 160 層,期望藉以拉開與其他競爭對手的領先差距。

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武漢兩大記憶體廠產能略受疫情影響,但不影響市場供需

作者 |發布日期 2020 年 02 月 21 日 9:30 | 分類 中國觀察 , 記憶體 , 財經

根據中國媒體的報導,在中國武漢肺炎的疫情中,疫情的重災區武漢市其中的兩大記憶體廠商長江存儲、武漢新芯,在當前當地封城管理的狀態下,期間雖然並未中斷生產,但是在人員復工困難的情況下,產能方面預計將會受影響,其中武漢新芯方面已經下調了 2020 年第 1 季的產能,只是目前兩家記憶體廠的產量不高,在全球市場占比仍小,因此預計不會造成影響。

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武漢肺炎引發記憶體轉單?台經院:規模小、屬短期現象

作者 |發布日期 2020 年 01 月 07 日 7:30 | 分類 中國觀察 , 記憶體 , 零組件

中國武漢爆發不明肺炎疫情,因當地為記憶體、面板重鎮之一,外界預期台廠將有轉單效應。不過,台經院專家認為,記憶體雖會有轉單效應,但因中國的量產規模小,效應不會那麼大,且應屬短期現象;至於面板方面,則要看疫情擴散程度,就目前而言,疫情停留在單一地區,應可由中國其他地區做產能調度支援,台廠難有轉單。 繼續閱讀..

東芝記憶體傳砸 3 千億日圓,增產 3D NAND

作者 |發布日期 2019 年 10 月 01 日 8:30 | 分類 國際貿易 , 記憶體 , 財經

日刊工業新聞 9 月 30 日報導,全球第二大 NAND 型快閃記憶體(Flash Memory)廠商「東芝記憶體 Holdings」(Toshiba Memory Holdings)將在旗下四日市工廠興建最先端的 3D NAND Flash 新廠房,預估新廠房將在 2020 年 12 月動工、2022 年夏天完工,總投資額預估達 3,000 億日圓,目標是藉此在先端領域超越南韓三星電子。 繼續閱讀..

格芯推出 12 奈米 ARM 架構 3D 晶片,稱成熟度優於台積電 7 奈米

作者 |發布日期 2019 年 08 月 09 日 16:00 | 分類 晶圓 , 晶片 , 處理器

晶圓代工大廠格芯(GlobalFoundries)8 日宣布,開發出基於 ARM 架構的 3D 高密度測試晶片,將實現更高水準的性能和功效。由於當前晶片封裝一直是晶片製造中的一個關鍵點,使得在傳統的 2D 封裝技術已經發展到瓶頸之後,半導體製造商們把目光轉向 3D 堆疊技術上。除了看到大量的 3D NAND Flash 快閃記憶體的應用,英特爾和 AMD 也都有提出關於 3D 晶片的研究報告。如今,ARM 和格芯也加入這領域。

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英特爾不打算擴產 Nand Flash,但計劃遷移 3D XPoint 產線至中國

作者 |發布日期 2019 年 05 月 14 日 14:15 | 分類 國際貿易 , 記憶體 , 零組件

根據國外科技媒體《Anandtechi》報導,由於 NAND Flash 市場當前供過於求的情況,造成市場價格不斷下跌。因此英特爾(intel)決定 2019 年降低 NAND Flash 的產量。據英特爾執行長 Bob Swan 之前投資公告表示,英特爾未來短時間不會增加 NAND Flash 產能。因與記憶體大廠美光(Micron)拆夥,英特爾決定把 3D XPoint / Optane 等 Flash 生產線移至中國。

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長江存儲宣布 2019 年將量產 64 層堆疊 NAND Flash,恐衝擊產業生態

作者 |發布日期 2019 年 04 月 15 日 17:40 | 分類 中國觀察 , 國際貿易 , 手機

紫光集團旗下的長江存儲是中國三大記憶體陣營中主要發展 NAND Flash 快閃記憶體的公司,2018 年雖然已經小規模試產了 32 層堆疊的 3D NAND Flash,不過長江存儲並沒有大規模生產 32 層堆疊的 3D NAND Flash。根據外媒報導指出,該公司的技術長程衛華在接受採訪時表示,預計 2019 年下半年長江存儲將量產 64 層堆疊的 3D NAND Flash,而且目前計畫進展順利。

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旺季不旺,第三季 NAND Flash 品牌商營收季增幅僅 4.4%

作者 |發布日期 2018 年 11 月 19 日 14:45 | 分類 晶片 , 記憶體 , 零組件

根據 TrendForce 記憶體儲存研究(DRAMeXchange)最新報告指出,隨著 64 / 72 層 3D NAND 生產良率漸趨成熟及供給持續增加,第三季 NAND Flash 供給穩定成長,但需求面受中美貿易戰影響,加上英特爾 CPU 缺貨、蘋果新機銷售不如預期等因素,導致旺季不旺,自年初以來的供給過剩仍難以消弭,NAND Flash 各類產品合約價仍走跌,第三季平均價格跌幅達 10-15%。 繼續閱讀..

全球首款!SK 海力士成功研發 96 層 4D NAND,年內量產

作者 |發布日期 2018 年 11 月 05 日 13:00 | 分類 晶片 , 記憶體 , 零組件

韓聯社、東亞日報日文版報導,南韓半導體大廠 SK 海力士(SK Hynix Inc.)於 4 日宣布,已成功研發出較現行 3D 架構 NAND 型快閃記憶體(Flash Memory)進一步進化的「4D NAND Flash」產品。SK 海力士表示,現行大多數廠商都在 3D NAND 上採用 CTF(Charge Trap Flash,電荷儲存式快閃記憶體),而 SK 海力士則是在 CTF 架構上追加「PUC(Peri Under Cell)」技術,研發出全球首款堆疊 96 層的 512Gb 3bit/cell(Triple Level Cel,TLC)4D NAND Flash 產品。 繼續閱讀..