Tag Archives: 3D-NAND Flash

東芝增產 3D NAND,7 月蓋新廠導入 AI 改善良率

作者 |發布日期 2018 年 05 月 23 日 8:45 |
分類 AI 人工智慧 , 儲存設備 , 國際貿易

東芝(Toshiba)旗下半導體事業子公司「東芝記憶體」(TMC)22 日發新聞稿宣布,因 3D 架構的 NAND 型快閃記憶體(Flash Memory)「BiCS FLASH」中長期需求料將呈現擴大,因此為了擴增 3D NAND Flash 產能,決定將在 2018 年 7 月於岩手縣北上市著手興建新工廠,該座北上新廠廠房預計將在 2019 年完工。 繼續閱讀..

第二季 eMMC / UFS 價格跌幅加深,下半年隨旺季需求價格回穩

作者 |發布日期 2018 年 05 月 09 日 14:35 |
分類 手機 , 記憶體 , 財經

TrendForce 記憶體儲存研究(DRAMeXc hange)調查指出,儘管智慧型手機、筆記型電腦等需求在工作天數回復下較第一季提升,但仍無法抵銷 3D NAND Flash 產能增加及良率改善帶動供給的成長,使供應商面對較高的庫存壓力,不得不進一步向下調整價格。 繼續閱讀..

趙偉國:將投資人民幣千億元,複製 2 個武漢新芯

作者 |發布日期 2018 年 04 月 09 日 18:00 |
分類 中國觀察 , 手機 , 晶片

甫傳出請辭中國清華紫光集團旗下紫光控股與紫光國芯兩家子公司董事長及董事職務的趙偉國,9 日出席於中國深圳召開的第 6 屆中國電子資訊博覽會中表示,未來將整合中國國內的資源,在武漢、南京、成都合計投資人民幣 1,800 億元,進行記憶體基地的研發與建置。也就是未來將要藉由大規模的投資,在南京及成都兩地成功複製兩個武漢新芯。

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英特爾與美光在 3D NAND 96 層後終止合作,將各自尋找合作夥伴

作者 |發布日期 2018 年 03 月 01 日 14:45 |
分類 晶片 , 記憶體 , 零組件

英特爾與美光於 2018 年 1 月 8 日共同宣布,在完成第三代 3D NAND Flash 研發後,雙方將開啟各自的研發之路,雙方目前共同研發的第二代產品為 64 層 3D NAND Flash,預計第三代將可堆疊 96 層,也意味著 96 層以後 3D NAND Flash 的產品研發,英特爾將正式與美光分道揚鑣。儘管這項決議不會對雙方後續的製程提升、產品規劃產生重大影響,但在確定分家之後,雙方將有更大的彈性尋求新的合作夥伴。根據 TrendForce 記憶體存儲研究(DRAMeXchange)調查,英特爾與紫光集團正積極研擬後續合作計畫,雙方可望建立正式銷售合作關係。 繼續閱讀..

東芝等大廠陸續宣布擴增 NAND Flash 產能,2019 年市場恐供過於求

作者 |發布日期 2018 年 01 月 03 日 15:05 |
分類 晶片 , 零組件

東芝與威騰在 2017 年經歷長時間的法律訴訟及合資爭議後,已於 2017 年 12 月 13 日達成和解,雙方延展合資關係至 2029 年,並確保威騰在 Fab 6 中能夠參與投資,延續在 96 層以後 3D-NAND Flash 的競爭門票。東芝隨即在 12 月 21 日宣布 Fab 7 興建計畫,TrendForce 記憶體儲存研究(DRAMeXchange)指出,隨著東芝、三星、英特爾、長江存儲等都將擴增 NAND Flash 產能,對 NAND Flash 產業的影響將在 2019 年轉趨明顯,並使得整體產業可望呈現供過於求狀況。 繼續閱讀..

韓系兩大 DRAM 廠確定 2018 年首季漲價,DRAM 漲勢短期難降溫

作者 |發布日期 2017 年 12 月 19 日 17:45 |
分類 AI 人工智慧 , Samsung , 伺服器

DRAM 記憶體市場近期嚴重供不應求,造成全球記憶體龍頭三星將於 2018 年第 1 季價格再上調 3% 至 5%。而另一家記憶體大廠 SK 海力士也將調漲約 5%。除此之外,有部分供應鏈透露,2018 年第 2 季的價格恐也將不樂觀,價格將續漲 5% 以上。因此,在需求太強勁的情況下,此波 DRAM 價格從 2016年下半年以來,每季都呈現上漲的態勢。如果加上 2018 年第 1 季持續漲價,報價已經連續 7 季走揚,堪稱 DRAM 史上時間最長的多頭行情。

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威騰加速 2D NAND 轉向 3D NAND 生產,且 96 層 3D NAND 已開始交貨

作者 |發布日期 2017 年 12 月 15 日 11:50 |
分類 國際貿易 , 記憶體 , 財經

就在威騰電子 (Western Digital ) 與日本半導體大廠東芝 (Toshiba) 就出售半導體部門,給予貝恩資本 (Bain Capital) 所領軍的美日韓聯盟一事達成和解之後,日前威騰電子召開會議,主要討論關於與東芝合作的各項協議細則。另外,還提出 NAND 快閃記憶體的生產計劃,並宣布開始將 96 層堆疊的 3D NAND 快閃記憶體交付零售商販售。

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手機及伺服器供需缺口擴大,第三季 NAND Flash 品牌商營收季增 14.3%

作者 |發布日期 2017 年 11 月 20 日 14:15 |
分類 記憶體 , 財經 , 零組件

TrendForce 記憶體儲存研究(DRAMeXchange)最新報告指出,受傳統旺季、智慧型手機及伺服器及資料中心對 SSD 需求拉升等因素影響, 今年第三季整體 NAND Flash 供需缺口較第二季擴大,但因價格已經歷長時間連續調漲,導致價格已近各 OEM 廠接受上限,各產品線合約價在第三季增幅侷限在 0%~6%。 繼續閱讀..

因為薩德翻臉,南韓再考慮限制半導體與面板進入中國投資

作者 |發布日期 2017 年 09 月 19 日 18:30 |
分類 Samsung , 國際貿易 , 記憶體

根據南韓媒體《etnews》報導,南韓政府擔心相關高科技技術外流,考慮禁止半導體及面板產業到中國設廠、擴廠,造成南韓企業經營上的傷害。不過消息人士指出,南韓政府的考慮,似乎與南韓日前決定部署薩德(THAAD)高空戰區反飛彈系統,激怒中國當局導致全面抵制有直接關係。

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第二季 NAND Flash 品牌廠營收季成長 8%,第三季價格續揚

作者 |發布日期 2017 年 08 月 21 日 14:30 |
分類 儲存設備 , 手機 , 記憶體

TrendForce 記憶體儲存研究(DRAMeXchange)指出,今年第二季整體 NAND Flash 市況持續受到供貨吃緊的影響,即便處於傳統 NAND Flash 的淡季,各產品線合約價平均仍有 3%~10% 的季增水準。由於第三季智慧型手機與平板電腦內的 eMMC / UFS 及 SSD 合約價仍持續小漲,2017 年將是 NAND Flash 廠商營收表現成果豐碩的一年。 繼續閱讀..

慧榮第 2 季營收季成長 4%,未來幾季將逐季成長

作者 |發布日期 2017 年 08 月 01 日 17:40 |
分類 晶片 , 記憶體 , 財經

全球 NAND Flash 控制晶片大廠慧榮科技(SIMO)於 1 日公布 2017 年第 2 季財報。根據財報顯示,慧榮科技 2017 年第 2 季營收為 1 億 3,273 萬美元(約新台幣 40.11 億元),較 2017 年第 1 季成長 4%。毛利率達 48.7%,稅後淨利 2,558 萬美元,每單位稀釋之美國存託憑證(ADS)盈餘為 0.71 美元(約新台幣 21 元)。

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慧榮科技 Q2 營收成長,單季營業額高達 1 億 3 千萬美元

作者 |發布日期 2017 年 08 月 01 日 12:10 |
分類 市場動態 , 晶片 , 記憶體

慧榮科技 8 月 1 日公布 2017 年第二季財報,單季營收 1 億 3,273 萬美元,與上一季相比成長 4%。第二季毛利率達 48.7%,稅後淨利 2,558 萬美元,每單位稀釋之美國存託憑證(ADS)盈餘 0.71 美元(約新台幣 21 元)。嵌入式儲存產品維持佔總營收 80%,與上季相比成長約 5%。主要是運用於行動裝置儲存的 eMMC 控制晶片小幅增加外,在企業用戶及工業用嵌入式儲存 SSD 解決方案大幅成長超過 50%。因 NAND Flash 供給缺口,影響 Client SSD 控制晶片出貨,但因主要客戶同時期也推出最新 3D NAND SSD 方案,Client SSD 控制晶片營收僅小幅下滑。 繼續閱讀..