三星計劃 2021 年推出 GAA 技術 3 奈米製程,超越台積電、英特爾

作者 | 發布日期 2019 年 05 月 15 日 10:30 | 分類 Apple , GPU , Samsung follow us in feedly


在先進製程的發展,台積電與三星一直有著激烈的競爭,雖然台積電已經宣布將在 2020 年正式量產 5 奈米製程,不過三星也不甘示弱,預計透過新技術的研發,在 2021 年推出 3 奈米製程的產品。根據三星表示,其將推出的 3 奈米製程產品將比當前的 7 奈米製程產品效能提升 35%,能耗也再降低 50%,且晶片的面積也再減少 45%。

根據外媒報導,三星 14 日於美國加州所舉辦的晶圓製造論壇(Samsung Foundry Forum)宣布,目前三星正在開發一項名為「環繞閘極」(gate all around,GAA)的技術,這個被稱為當前 FinFET 技術進化版的生產技術,能夠對晶片核心的電晶體進行重新設計和改造,使其更小更快。三星指出,預計 2021 年透過這項技術所推出的 3 奈米製程技術,將能使得三星在先進製程方面與台積電及英特爾進行抗衡,甚至超越。而且,能夠解決晶片製造縮小過程中所帶來的工程難題,以延續摩爾定律的持續發展。

而根據國際商業戰略諮詢公司(International Business Strategies)執行長 Handel Jones 表示,目前三星正透過強大的材料研究讓晶圓製造技術獲得發展。而在 GAA 的技術發展,三星大約領先台積電一年,英特爾封面則落後三星 2~3 年。三星也強調,GAA 技術的發展能夠期待未來有更好的圖形技術,人工智慧及其他運算的進步,以確保未來包括智慧型手機、手錶、汽車、以及智慧家庭產品都能夠有更好的效能。

之前三星就宣布將在未來 10 年內投資1,160 億美元(約新台幣 3.5 兆元)發展非記憶體項目的半導體產業,以成為全球半導體產業霸主。透過 GAA 技術發展的 3 奈米製程技術就是其中重要的關鍵。三星希望藉此吸引包括蘋果、NVIDIA、高通、AMD 等目前台積電客戶的青睞,以獲取更多晶圓生產商機。

(首圖來源:三星)