新能源車追求高效與輕量化，推動功率半導體由 Si-IGBT 逐步轉向寬能隙材料，GaN 憑藉高頻開關、低損耗與高功率密度，650V 以下電壓平台具優勢，可望於 OBC 與 DC-DC 應用展現優勢，部分車廠開始導入相關產品，相較 SiC 的 800V 高壓領域應用成熟，GaN 的 650V 以下市場成為新興選項，若資源可持續投入、成本持續最佳化與技術可再改良，未來產業有望形成「高壓用 SiC，中低壓用 GaN」互補格局。 繼續閱讀..