晶圓代工廠台積電成功推動光阻供應鏈在地化,110 年設立全台第一座極紫外光(EUV)光阻生產工廠,估計年產值超過新台幣 10 億元;目前評估於今年第四季建立「機台租賃平台」,提供有需求的供應商使用。 繼續閱讀..
台積電推動光阻供應鏈在地化,年產值逾 10 億元 |
作者 中央社|發布日期 2022 年 04 月 29 日 13:45 | 分類 公司治理 , 晶圓 , 晶片 |
半導體埃米時代生產利器,imec 展示最新 High-NA EUV 技術進展 |
作者 Atkinson|發布日期 2022 年 04 月 27 日 10:40 | 分類 IC 設計 , 晶圓 , 晶片 | edit |
全球半導體技術研究重鎮的比利時微電子研究中心(imec),日前國際光學工程學會(SPIE)先進曝光微影成形技術會議,展示 High-NA(高數值孔徑)曝光技術的大進展,含顯影與蝕刻製程的開發、新興光阻劑與塗料測試、量測與光罩技術最佳化等。因 imec 與台積電、英特爾等國際大廠密切合作,業界預期先進製程 2025 年後進入埃米(angstorm)時代,High-NA 曝光技術將是關鍵。
應材推出運用 EUV 延展 2D 微縮與 3D 閘極全環電晶體技術 |
作者 Atkinson|發布日期 2022 年 04 月 25 日 14:15 | 分類 IC 設計 , 晶圓 , 晶片 | edit |
美商應材公司今日表示,策略是成為「PPACt 推動公司」 (PPACt enablement company)。因此,新發表七項創新技術,其目的就是要協助客戶運用 EUV 以持續進行 2D 微縮。新一代 GAA 電晶體的製造方式與當前的 FinFET 電晶體有所不同,以及應材備妥為 GAA 的製造提供業界最完整的產品組合,包括在磊晶、原子層沉積、選擇性去除材料的新步驟及兩種新整合性材料解決方案 (Integrated Materials SolutionsTM) 的情況下,藉此產生合適的 GAA 閘極氧化層與金屬閘極。