根據韓媒報導,韓國科學技術院(KAIST)電機工程系教授 Kim Joung-ho(在韓國媒體中被譽為「HBM 之父」)表示,高頻寬快閃記憶體(High Bandwidth Flash,HBF)有望成為下一代 AI 時代的重要記憶體技術,將與高頻寬記憶體(HBM)並行發展,共同推動晶片大廠的業績成長。 繼續閱讀..
韓媒:不只 HBM!未來 HBF 崛起,NAND 堆疊成 AI 新儲存動能 |
| 作者 蘇 子芸|發布日期 2025 年 09 月 11 日 14:00 | 分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 記憶體 |



