Category Archives: 記憶體

受中國競爭對手積極擴產影響,法人給予晶豪科中立評等/目標價 144 元

作者 |發布日期 2021 年 11 月 24 日 10:40 | 分類 會員專區 , 記憶體 , 證券

國內法人最新投資報告指出,2022 年 5G、物聯網等應用持續增加,有利 DRAM 需求成長。晶圓產能方面,晶豪科和晶圓廠均簽定長約,2022 和 2021 年晶圓產能相近,2022 年僅能透過製程轉換增加產出,晶豪科顆粒數約增加 10%~20%。預估晶豪科 2022 年每股 EPS 為新台幣 18.76 元。然近期中國 DRAM 廠積極擴大 DRAM 產能,雖然無法與一線大廠抗衡最先進 DRR4 以上高階產品,但利基型 DRAM 有機會台系廠商競爭,將對台系廠商造成壓力,將晶豪科投資評等調降至「中立」, 目標價由每股 157 元調降至 144 元。

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力積電 24 日以每股 49.88 元公開申購,中籤者潛在獲利約 2.4 萬元

作者 |發布日期 2021 年 11 月 23 日 6:00 | 分類 晶圓 , 晶片 , 會員專區

晶圓代工廠力積電預計在 12 月上市掛牌,初次上市普通股股票承銷案,採競價拍賣及公開申購方式辦理,22 日公布競拍結果,得標加權均價每股新台幣 63.52 元,另外將以每股 49.88 元公開承銷。表示若投資人參與申購抽籤中籤,以 22 日力積電在興櫃收盤均價 74.16 元計算,每張潛在獲利約 2.4 萬元。

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美光宣布 LPDDR5X DRAM 獲聯發科天璣 9000 旗艦型 5G 晶片組驗證

作者 |發布日期 2021 年 11 月 22 日 15:00 | 分類 IC 設計 , 晶片 , 會員專區

記憶體大廠美光 (Micron) 22 日宣布,IC 設計大廠聯發科率先驗證美光 LPDDR5X DRAM,並用於為智慧手機打造的全新天璣 9000 5G 旗艦晶片組。美光為業界首家送樣並驗證的半導體公司,並出貨首批以業界領先的 1α 製程為基礎設計的 LPDDR5X 樣品。LPDDR5X 專為高階和旗艦級智慧手機設計,引領智慧型手機生態系統掀起人工智慧 (AI) 和 5G 創新推動的資料密集型應用程式全新浪潮。

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群聯新研發大樓落成,潘健成:2025 年前研發人員將逾 3,000 人

作者 |發布日期 2021 年 11 月 21 日 11:45 | 分類 IC 設計 , 公司治理 , 晶片

記憶體控制 IC 設計廠商群聯 21 日舉行 5 期新研發大樓落成暨廠區附屬停車塔上梁典禮,由甫任執行長的潘健成主持。群聯指出,新研發大樓落成後擴增的研發量,將能掌握 5G 無線傳輸技術的邊緣與雲端系統 NAND 儲存無上限趨勢,包含工業自動化、車用電子、電競設備、行動裝置、雲端伺服器、資料中心等應用市場。

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【最新】潘健成辭群聯董事長及董事改任執行長,新董座顏暐駩接任

作者 |發布日期 2021 年 11 月 18 日 17:45 | 分類 IC 設計 , 人力資源 , 公司治理

記憶體控制 IC 大廠群聯晚間發聲明指出,董事長潘健成主動辭去董事長暨董事等職務。據潘健成說明,民國 105 年財報事件尚在訴訟階段,縱使依法繼續擔任董事長不受影響,仍期待符合公司的高標準,經審慎考量及公司長期發展規劃後,主動辭去董事長暨董事職務。董事會表示惋惜,並尊重潘健成的決定。

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SK 海力士以 EUV 擴產中國無錫廠碰壁,傳美國不准

作者 |發布日期 2021 年 11 月 18 日 14:50 | 分類 會員專區 , 材料、設備 , 記憶體

《路透社》報導,美中科技戰影響下,衝擊到南韓記憶體製造商 SK 海力士中國無錫廠擴產計畫。原本 SK 海力士希望中國無錫廠採用含極紫外光曝光設備 EUV 先進製程生產記憶體,以因應市場需求,然而美國政府限制 EUV 設備進入中國,擴產計畫陷入膠著。

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中國記憶體廠布局 DDR3 記憶體,市場影響將落在 2022 下半年

作者 |發布日期 2021 年 11 月 17 日 10:40 | 分類 中國觀察 , 會員專區 , 記憶體

全球 DRAM 全球三大廠三星、SK 海力士、美光產能移往 DDR4、DDR5 等新世代高階產品發展,留下的舊世代 DDR3 市場空缺原本由台系廠商逐漸填補,但市場又傳出中國記憶體廠逐步搶攻市場,且有機會挹注後段封測廠。以現在情況觀察,影響時間可能將落在 2022 下半年後。

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出貨小幅上揚及 DRAM 報價持續走升,第三季整體 DRAM 產值季成長達 10%

作者 |發布日期 2021 年 11 月 16 日 14:00 | 分類 記憶體 , 零組件

根據 TrendForce 調查顯示,今年初以來因 DRAM 報價翻漲以及供應鏈缺料,多數採購為避免斷貨而不斷擴大拉貨,使得需求端至年中持續強勁。然而,因疫情導致的零組件長短料的問題對於終端產品組裝的衝擊也逐漸加 劇,促使部分廠商開始減少購買屬相對長料的記憶體,尤其以 PC OEMs 業者的態度最為明顯。不過所幸伺服器端的需求仍相對有所支撐,帶動多數 DRAM 供應商第三季出貨仍有小幅增長,加上 DRAM 報價走揚,推升第三季 DRAM 總產值仍有 10.2% 的季成長,達 266 億美元。

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AI 發展驅動高效能運算需求提升,仰賴 HBM 與 CXL 優化硬體效能

作者 |發布日期 2021 年 11 月 15 日 14:10 | 分類 AI 人工智慧 , 記憶體 , 零組件

根據 TrendForce 最新發表的伺服器報告指出,近幾年受到新興應用的激勵,加速了人工智慧及高效能運算的發展,且伴隨著仰賴機器學習及推論的需求提升,建構出的模型複雜度隨著需求的精細程度有所增加,因此在計算時需處理的資料量隨之增大。在此情境下,龐大的資料處理量受硬體效能侷限, 導致使用者在設備的建置面臨了效能、容量、延遲度以及成本間的取捨問題,刺激 HBM(High Bandwidth Memory)及 CXL(Compute Express Link)的出現。功能上來說,HBM 為新型態記憶體, 主要協助更多元、高複雜運算而需要的I/O輔助,而 CXL 則為使記憶體資源共享的協定,提供 xPU 更為便捷的應用。

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