傳統的 DDR 記憶體在特定溫度範圍內運作,通常不超過 100°C(約 212°F),但超過範圍可能導致資料丟失及溫控調頻(Thermal Throttling)。不過,密西根大學研究人員開發新記憶體架構,特性幾乎與 DDR 記憶體相反,操作溫度範圍至少為 260°C(約 500°F),並能在超過約 594°C(約 1,100°F)高溫運行。 繼續閱讀..
科學家開發新記憶體架構,可在 500°C 以上超高溫運作 |
作者 林 妤柔|發布日期 2024 年 12 月 12 日 17:26 | 分類 半導體 , 晶片 , 記憶體 |