根據國外科技媒體《Anandtech》的報導指出，日前美系記憶體大廠美光科技 (Micron) 正式宣布，將採用第 3 代 10 奈米級製程 (1z nm) 來生產新一代 DRAM。而首批使用 1z nm 製程來生產的 DRAM 將會是 16GB 的 DDR4 及 LPDDR4X 記憶體。對此，市場預估，美光的該項新產品還會在 2019 年底前，在美光位於台灣台中的廠區內建立量產產線。
Category Archives: 記憶體
日韓貿易戰推現貨記憶體反彈，合約市場仍未撼動 |
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MoneyDJ|發布日期
2019 年 08 月 16 日 11:10 |
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6 月東芝停電事件，加上 7 月開始日韓貿易戰延燒，推動了已跌到虧損流血的 NAND Flash 現貨價率先反彈，結束了 2 年多來的空頭走勢，此波記憶體價格由 NAND Flash 先起漲，接下來日韓貿易戰加入下，DRAM 在 7 月份現貨價也開始反彈。 繼續閱讀..
報復選項之一？韓總統府官員：考慮管制 DRAM 輸日 |
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MoneyDJ|發布日期
2019 年 08 月 13 日 15:25 |
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日韓關係劍拔弩張，南韓 12 日宣布準備把日本移出白色名單後，青瓦台（南韓總統府）官員又暗示，管控 DRAM 出口，是報復日本斷供的選項之一。 繼續閱讀..
SK 海力士 2030 年推 800+ 層堆疊 NAND Flash，屆時 SSD 可達 200TB |
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Atkinson|發布日期
2019 年 08 月 12 日 16:30 |
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目前，兩大韓系 NAND Flash 廠商──三星及 SK 海力士在之前就已經公布了新 NAND Flash 產品的發展規劃。其中，三星宣布推出 136 層堆疊的第 6 代 V-NAND Flash 之外，SK 海力士則是宣布成功開發出 128 層堆疊的 4D NAND Flash，並已經進入量產階段。不過，雖然兩家廠商競相推出 NAND Flash 的新產品，但是堆疊技術的發展至今仍未到達極限。所以，SK 海力士日前在一場會議上就公布了公司的規劃，預計在 2030 年推出 800+ 層的 NAND Flash，屆時將可輕鬆打造出 100 到 200TB 容量的 SSD。
格芯推出 12 奈米 ARM 架構 3D 晶片，稱成熟度優於台積電 7 奈米 |
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Atkinson|發布日期
2019 年 08 月 09 日 16:00 |
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晶圓代工大廠格芯（GlobalFoundries）8 日宣布，開發出基於 ARM 架構的 3D 高密度測試晶片，將實現更高水準的性能和功效。由於當前晶片封裝一直是晶片製造中的一個關鍵點，使得在傳統的 2D 封裝技術已經發展到瓶頸之後，半導體製造商們把目光轉向 3D 堆疊技術上。除了看到大量的 3D NAND Flash 快閃記憶體的應用，英特爾和 AMD 也都有提出關於 3D 晶片的研究報告。如今，ARM 和格芯也加入這領域。
Toshiba 推出超薄 XFMEXPRESS 機構規範，MacBook Air 還要焊死 SSD 嗎？ |
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T客邦|發布日期
2019 年 08 月 09 日 7:45 |
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Toshiba 於今年 Flash Memory Summit 舉辦期間，公布與 Japan Aviation Electronics 合作開發，針對非揮發性記憶體的 XFMEXPRESS 規範，指在解決目前 M.2 SSD 厚度過厚、BGA 嵌入式封裝又難以更換的問題。XFMEXPRESS 可說是簡易更換 SSD 容量的最小封裝，首發支援 PCIe 3.0 x4 介面。 繼續閱讀..
第二季 DRAM 產值季減 9.1%，第三季報價仍持續看跌 |
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TechNews|發布日期
2019 年 08 月 08 日 14:35 |
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根據 TrendForce 記憶體儲存研究（DRAMeXchange）調查表示，第二季各產品別的報價走勢，除了行動式記憶體產品（discrete mobile DRAM/eMCP）跌幅相對較緩、落在 10-20% 區間外，包含標準型、伺服器、消費性記憶體的跌幅都將近 3 成，其中伺服器記憶體因庫存情況相對嚴峻，跌幅甚至逼近 35%。從市場面觀察，即使第二季的銷售位元出貨量（sales bit）相比前一季有所成長，但報價仍續下跌，導致第二季 DRAM 總產值較上季下滑 9.1%。 繼續閱讀..
