Category Archives: 記憶體

修改部分設計，三星第六代 10 奈米級 1c DRAM 延後半年
作者 |發布日期 2025 年 01 月 21 日 13:00 |
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分類 Samsung , 半導體 , 記憶體

韓國媒體 MoneyToday 報導，記憶體大廠三星將第六代 10 奈米級 1c DRAM 製程開發延後六個月到 6 月才完成。三星之前宣稱第六代 10 奈米級 1c DRAM 製程 2024 年底開發完並量產，但良率沒有提升，導致時程再延後半年，這會使預定下半年量產的第六代高頻寬記憶體（HBM4）一併延後。

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美光定義台灣為卓越製造中心，2025 年 1-beta 產能提升 1-gamma 量產
作者 |發布日期 2025 年 01 月 17 日 20:45 |
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分類 公司治理 , 半導體 , 記憶體

記憶體大廠美光科技台灣區董事長盧東暉強調，目前美光是台灣最大投資的外商，而台灣也是美光最大的生產基地，憑藉的是人才的優勢與先進技術的配合，使得台灣成為美光的卓越製造中心，而美光也承諾將會持續在台灣進行投資。

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調研：生成式 AI 帶動記憶體需求，中國有望在中低階市場站穩地位
作者 |發布日期 2025 年 01 月 17 日 11:53 |
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分類 中國觀察 , 晶片 , 記憶體

隨著生成式 AI 技術的快速發展，中國在記憶體市場的影響力不斷提升。無論是供應還是需求端，未來的增長潛力都值得關注。調研機構 Counterpoint Research 最新報告指出，中國記憶體製造商長鑫存儲（CXMT）正透過技術進步與市場拓展，逐步縮短與全球領先企業的差距，儘管仍面臨技術瓶頸與美國對中國法規的挑戰。 繼續閱讀..

三星 HBM 老過不了輝達驗證，可能轉供貨競爭對手博通
作者 |發布日期 2025 年 01 月 15 日 15:40 |
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分類 AI 人工智慧 , Samsung , 公司治理

三星電子高頻寬記憶體（HBM）產品，輝達 (NVIDIA) 執行長黃仁勳曾表示，知道韓國人對此不耐煩，但新設計需要時間，也已取得進展。雖經歷難，但有信心會突破。黃仁勳說法解讀為三星 HBM 需重新設計，考慮到設計、測試和量產耗費的時間，暫時很難通過輝達認證。

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美國半導體產業團體聯名致函拜登，抗議倉促實施出口管制
作者 |發布日期 2025 年 01 月 15 日 13:45 |
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分類 半導體 , 國際貿易 , 晶片

美國半導體及製造業等六個貿易團體於本週向美國總統拜登發函，強烈表達對即將實施的新出口管制措施的不滿。這些團體抱怨，政府在未與業界充分諮詢的情況下，倉促通過這些規定，恐對美國企業競爭力造成負面影響。

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節能 MRAM 成為替代 DRAM 潛力方案，創造記憶體綠色革命
作者 |發布日期 2025 年 01 月 15 日 12:30 |
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分類 半導體 , 晶片 , 材料、設備

近年來，市場已經開發出用於運算設備的新型記憶體，用以來解決傳統動態隨機存取記憶體 （DRAM） 的限制。在這些新型記憶中，MRAM 具有非揮發性、高速、更大的儲存容量，和更高的耐用性等關鍵優勢脫穎而出。不過，減少資料寫入過程中的能耗，依然是 MRAM 的關鍵挑戰。

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南亞科 2024 年每股虧損 1.64 元，DRAM 市場可望上半年觸底
作者 |發布日期 2025 年 01 月 13 日 16:40 |
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分類 半導體 , 記憶體 , 財報

記憶體大廠南亞科 13 日召開法說會，並公布 2024 年第四季截至 12 月 31 日自行結算合併財務報告。南亞科第四季營收為新台幣 65.75 億元，較第三季季減少 19.2%。第四季 DRAM 平均售價季減低十位數百分比，銷售量季減高個位數百分比。

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