Category Archives: 記憶體

小米:記憶體漲價較預期激進,不排除產品漲價可能

作者 |發布日期 2026 年 03 月 25 日 9:50 | 分類 AI 人工智慧 , 國際貿易 , 手機

綜合港媒及中媒報導,小米總裁盧偉冰於業績發布後的媒體電話會議上表示,記憶體漲價的情況比他預期得更為激進,對行業經營造成巨大挑戰,小米亦在反覆研究如何應對;觀察到同業已開始因應記憶體漲價而將產品加價,小米暫時會在內部著手,透過創新等方式,幫助消費者消化有關壓力;不過,若情況必不可免,小米也需要漲價,希望屆時大家能夠理解。 繼續閱讀..

大摩看淡 DDR4 點名傳統 NAND 為新贏家,旺宏列為首選標的

作者 |發布日期 2026 年 03 月 25 日 9:15 | 分類 IC 設計 , 半導體 , 晶片

外資摩根士丹利 (大摩) 近日發布最新研究報告,針對市場對其近期降評 DDR4 的強烈質疑進行全面回應。大摩強調,看淡 DDR4 並不影響其對主流記憶體市場的樂觀看法,同時點名傳統 NAND 因具備獨特的供需動能,將成為記憶體市場的新贏家,並將旺宏列為首選標的。

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SK 海力士砸 12 兆韓圜買進 ASML 設備,搶占全球 HBM 供應鏈優勢

作者 |發布日期 2026 年 03 月 24 日 16:45 | 分類 半導體 , 晶片 , 記憶體

SK 海力士(SK hynix)於 24 日宣布,將從荷蘭的 ASML 購買價值 12 兆韓圜的先進生產設備,此項決定旨在應對日益成長的記憶體晶片需求。根據公告,這些極紫外光(Extreme Ultraviolet,EUV)曝光機(Scanner)將於 2027 年 12 月前接收,用於下一代生產製程。

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看好今年手機銷售,遠傳:價格走升仍有支撐

作者 |發布日期 2026 年 03 月 24 日 16:26 | 分類 手機 , 科技生活 , 記憶體

記憶體價格走升、終端售價面臨調漲壓力,讓市場對今年全球智慧型手機出貨轉趨保守。美系大行最新報告即下修 2026 年全球智慧型手機出貨預測 15% 至 11 億支,並預估蘋果出貨量年減 2%、Android 陣營年減 16%,主因在於品牌廠將零組件成本轉嫁到售價後,恐進一步壓抑消費意願。

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記憶體成本急升,大摩下修今年手機出貨預測、蘋果逆勢抗壓

作者 |發布日期 2026 年 03 月 24 日 9:33 | 分類 手機 , 記憶體 , 財經

美系大行 Morgan Stanley 最新報告指出,受記憶體成本急升影響,2026 年全球智慧型手機市場將面臨顯著下行壓力,因此將今年全球智慧型手機出貨預測大砍 15% 至 11 億支,衰退幅度恐與 2022 年低潮相當,甚至更大。報告並指出,手機品牌廠勢必調高平均售價,將大部分零組件成本轉嫁給終端市場,但價格上揚後,消費者需求恐同步轉弱。

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低容量 NAND Flash 供給緊縮、品牌推動 AI 革新,預估 2026 年智慧手機平均容量年增 4.8%

作者 |發布日期 2026 年 03 月 23 日 14:15 | 分類 AI 人工智慧 , 手機 , 記憶體

根據 TrendForce 最新記憶體產業研究,儘管 2026 年全球智慧手機品牌面臨 NAND Flash 價格高漲壓力,但由於原廠製程升級迫使低容量規格淘汰,以及高階品牌旗艦機 AI 需求等因素驅動,預估全年手機平均容量將逆勢年增 4.8%。 繼續閱讀..

LLM 記憶體用量縮減 20 倍!NVIDIA 超狂新技術 KVTC,靠「KV 快取」翻轉記憶體瓶頸

作者 |發布日期 2026 年 03 月 21 日 8:40 | 分類 AI 人工智慧 , Nvidia , 記憶體

輝達(NVIDIA)研究人員提出一種新技術,可大幅降低大型語言模型在追蹤對話歷史時所需的記憶體,最高可達 20 倍,且不需修改模型本身。外界期待,隨著記憶體用量大幅下降,是否意味著有望降低對記憶體的依賴。 繼續閱讀..

長鑫擴產、DDR4 報價收斂!大摩降評南亞科、華邦電,改按讚旺宏

作者 |發布日期 2026 年 03 月 20 日 14:30 | 分類 AI 人工智慧 , 記憶體

記憶體類股今(20 日)表現重挫,美系外資摩根士丹利(大摩)出具最新報告指出,因 DDR4 需求趨緩、報價漲幅收斂,加上中國記憶體大廠長鑫存儲擴產,恐對 DDR4 價格造成壓力,因此下調南亞科華邦電評級至中立(EW),同時將首選標的轉向旺宏、目標價 202 元,並維持愛普優於大盤(OW)評級。 繼續閱讀..

巨人搶攻 HBM、台廠補位傳統產品:威剛、群聯、南亞科、華邦電卡位新藍海

作者 |發布日期 2026 年 03 月 20 日 8:00 | 分類 AI 人工智慧 , 國際貿易 , 記憶體

「有多少產能,輝達全包了!」輝達執行長黃仁勳在摩根士丹利大會上的霸氣喊話,揭開了記憶體產業史上最瘋狂的序幕。這場由 HBM(高頻寬記憶體)點燃的戰火,正讓全球科技業陷入一場空前的搶貨風暴。 繼續閱讀..

台積電扮 SK 海力士殺手鐧!HBM4E 邏輯晶片採 3 奈米性能超越三星

作者 |發布日期 2026 年 03 月 20 日 7:45 | 分類 IC 設計 , Samsung , 半導體

隨著全球人工智慧(AI)晶片競爭進入白熱化階段,高頻寬記憶體(HBM)的技術推進也迎來了前所未有的重大轉折。消息指出,韓國記憶體大廠 SK 海力士(SK Hynix)目前正積極的評估一項重大戰略,就是在其即將推出的第七代高頻寬記憶體(HBM4E)中,其邏輯晶片(Logic Die)的部分將全面主力採用台積電的 3 奈米製程技術。這項決策不僅象徵著 SK 海力士在尖端製程上的重大押注,更被外界視為是為了在效能上徹底擊敗競爭對手三星電子所祭出的關鍵殺手鐧。

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