Flash 供應吃緊、DARM 導入新製程順利，外資再升華邦電目標價 |
作者
Atkinson|發布日期
2021 年 02 月 20 日 18:40 |
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針對才將開完法說會的國內記憶體大廠華邦電，美系外資在最新研究報告中表示，因為 Nor Flash、SLC NAND Flash、以及 DRAM 價格的反彈復甦，使得出貨價格能進一步獲得改善。再加上華邦電 25 奈米的發展符合預期，可以進一步降低成本的情況下，預期將使得 3 月及 4 月份的營收大幅提升。所以，該外資推翻 2 天前才發出的每股新台幣 35 元目標價，進一步提升目標價至每股 40 元，再重申其 ｢買進｣ 的投資評等。
分析機構曝光三星開發 1z 奈米 EUV 製程 DRAM 規格祕辛 |
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作者
Atkinson|發布日期
2021 年 02 月 20 日 15:20 |
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南韓三星近期積極將極紫外（EUV）曝光技術應用於採用 1z 奈米製程的 DRAM 記憶體生產，並完成量產。據半導體分析機構《TechInsights》拆解分別採用 EUV 技術和 ArF-i 技術的三星 1z 奈米製程 DRAM 後，發現 EUV 技術除了提升三星生產效率，還縮小 DRAM 的節點設計尺寸，另外還比較三星與美光 1z 奈米製程 DRAM，採用 EUV 技術的三星 DRAM 核心尺寸（Cell Size）同樣較小。
