以 TMD 材料取代矽，推進下一代更小、更有效率半導體晶片 |
作者
Emma stein|發布日期
2024 年 07 月 12 日 17:07 |
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根據摩爾定律，積體電路可容納的電晶體數目約每 2 年便增加 1 倍，但這條定律即將走到盡頭。隨著矽晶片越做越小，進入 2 奈米製程後功能、尺寸便幾乎達到物理極限，因此研究人員正在開發更小、更薄、更有效率的下一代晶片，以過渡金屬二硫屬化物（TMD）替代矽材料。 繼續閱讀..
清大、興大團隊開發新穎二維電子元件，記憶體、電晶體 2 種模式一體切換 |
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作者
Emma stein|發布日期
2024 年 01 月 15 日 14:17 |
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當今所有電腦都採用馮紐曼架構，但隨著數據處理量越來越多，計算單元從儲存單元提取資料的耗能一面也逐漸展現。來自清華大學、中興大學電機、物理、資工等跨領域專家組成的團隊，最近提出一種創新二維電子元件，只需用光充當鑰匙開關，就能使元件在記憶體、電晶體 2 種模式之間自由切換。 繼續閱讀..
台積電分享兆級電晶體晶片路線，預計 1.4 奈米、1 奈米 2030 年完成 |
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作者
林 妤柔|發布日期
2023 年 12 月 28 日 10:28 |
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台積電在 IEDM 大會上分享一兆電晶體晶片封裝的路線，與英特爾去年提供的資訊一樣，台積電正極力開發單個矽晶片上擁有 2,000 億個電晶體的晶片。為實現目標，該公司重申開發 2 奈米級 N2、N2P 製程及 1.4 奈米級 A14 和 1 奈米級 A10 製程，預計將於 2030 年完成。 繼續閱讀..
波蘭及中國學者組成團隊，研製金奈米粒子電晶體 |
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作者
MoneyDJ|發布日期
2021 年 02 月 26 日 12:00 |
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據波蘭新聞局（PAP）及 PolandIn 日報報導，由波蘭 Bartosz Grzybowski 教授（Institute of Organic Chemistry PAS and Korean UNIST）及 Yong Yan 教授（University of Chinese Academy of Sciences, Beijing）領導的團隊展示如何用金奈米粒子（gold nanoparticles）製造電晶體（transistors），該電晶體具有抗彎曲、防水及防火花的功能，其應用像油漆一樣，與傳統的半導體材料不同。 繼續閱讀..
第三代半導體未來之星，氮化鎵挾眾多優勢攻入快充、5G 市場 |
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作者
Daisy Chuang|發布日期
2020 年 03 月 18 日 16:50 |
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三五族半導體「氮化鎵」（GaN）可說是現在當紅炸子雞材料，漢磊、穩懋、環宇等台廠紛紛搶進氮化鎵領域，台積電更在上月宣布與意法半導體合作切入氮化鎵市場，與此同時，聲稱性能更勝以往的氮化鎵充電器也出現在大眾眼前，到底它有什麼魔力？
