Tag Archives: HBM

三星其他部門不滿記憶體業務獎金最高開始怠工,股東更警告可能不核准協議

作者 |發布日期 2026 年 05 月 25 日 10:50 | 分類 Samsung , 人力資源 , 公司治理

韓國三星效獎金爭議持續升溫,原本與工會達成暫定獲利分配協議而暫時化解的罷工危機,卻演變為各部門更激烈對立。記憶體部門傳出可領最高約 6 億韓圜(約 40 萬美元)獎金,非記憶體與消費性電子等部門員工強烈反彈,甚至波及生產與會議安排,讓三星 AI 記憶體供應鏈營運穩定性面臨新壓力。 繼續閱讀..

美創投家稱「18 個月後台灣不重要」,挨批低估情勢

作者 |發布日期 2026 年 05 月 18 日 9:10 | 分類 半導體 , 國際觀察 , 國際貿易

美國創投家查馬斯·帕里哈皮蒂亞在最新 ALL-IN Podcast 節目中表示,台灣 18 個月後將失去在半導體上的戰略重要性,影片在社群擴散並遭致各方批評。美國駐俄羅斯前大使麥弗爾點出台灣民主價值;紐時專欄作家佛蘭契反駁這是一種在戰略上與道德上都極度貧乏的思維。 繼續閱讀..

AI 促進晶片架構朝 3D 化升級,鉬可望繼承鎢成為新材料?

作者 |發布日期 2026 年 05 月 13 日 12:00 | 分類 半導體 , 材料、設備 , 記憶體

AI 帶動先進製程升級,鉬快速從研發選項躍升為下代半導體材料的焦點。SEMI 11 日在韓國水原舉行「Strategic Materials Conference Korea 2026」,科林研發(Lam Research)與默克(Merck)均指出,晶片架構朝更複雜 3D 化發展,傳統以鎢為主的金屬材料逐步面臨電阻與微縮限制,鉬有望成為接棒者。 繼續閱讀..

AI 雙雄股價齊噴!SK 海力士傳結盟英特爾,靠 EMIB 技術破解 HBM 產能瓶頸

作者 |發布日期 2026 年 05 月 12 日 9:40 | 分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 記憶體

隨著報導指出 SK 海力士正在測試英特爾(Intel)的 2.5D EMIB(嵌入式多晶片互連橋)技術以整合高頻寬記憶體(HBM),Intel 和 SK 海力士的股價在盤前交易中大幅上漲。這項消息可能成為 Intel 在全球 AI 晶片供應鏈競爭中轉變的關鍵時刻。 繼續閱讀..

5/21 罷工死線逼近!韓國政府急介入調解,三星力挽百億美元經濟狂瀾

作者 |發布日期 2026 年 05 月 12 日 9:30 | 分類 Samsung , 人力資源 , 半導體

三星電子(Samsung Electronics)於 5 月 11 日,在政府調解下,與工會展開緊急的最後談判,旨在避免定於 5 月 21 日開始的 18 天全體罷工。這場罷工是工會因工資和獎金爭議未解而提出的要求,若實施將直接造成高達 204 億美元的損失,並對高頻寬記憶體(HBM)產量造成嚴重影響,進而波及 1,700 家供應商及全球供應鏈。 繼續閱讀..

苟嘉章:記憶體廠 80% 毛利率連台積電都眼紅,長江存儲有望成 NAND 霸主

作者 |發布日期 2026 年 05 月 09 日 18:00 | 分類 半導體 , 記憶體 , 財經

慧榮科技總經理苟嘉章指出,在人工智慧(AI)狂潮的推波助瀾下,記憶體原廠正迎來前所未有的「印鈔票」高毛利時代,同時AI推論(Inference)的需求急遽拉升,正引發新一波對NAND儲存容量的爆發性需求。面對中美科技戰,中國正加速半導體國產化進程。因此根據市場的預期,長江存儲未來甚至有望躍升為全球最大NAND製造商。

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跨越 AI 記憶體牆:儲存階層的重新分配與 HBF 剖析

作者 |發布日期 2026 年 05 月 05 日 7:00 | 分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 封裝測試

混合專家(MoE)架構雖能降低運算需求,但由於所有專家權重必須常駐顯存,Transformer 逐字生成特性也對記憶體頻寬提出高要求;同時,長文本應用 KV Cache 隨對話長度線性增長,龐大模型權重與動態增長的 KV Cache 分別皆對記憶體需求大幅增加,AI 運算瓶頸已從算力不足,轉向記憶體容量受限。 繼續閱讀..

HBM 成超強印鈔機!三星家族財富一年暴增至 455 億美元,躍居亞洲第三富豪

作者 |發布日期 2026 年 04 月 29 日 12:30 | 分類 Samsung , 公司治理 , 晶片

隨著半導體與人工智慧(AI)晶片市場強勢復甦,三星家族的財富在短短一年內呈現驚人增長。根據《彭博億萬富翁指數》(Bloomberg Billionaires Index)顯示,該家族總財富已從去年的 201 億美元大幅躍升至約 455 億美元,其亞洲富豪排名也從第十位衝上第三名。 繼續閱讀..

SK 海力士強化「混合鍵合」布局,力拚 2027 年 16 層 HBM 商用化

作者 |發布日期 2026 年 04 月 29 日 9:00 | 分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 記憶體

在 4 月 28 日於首爾舉行的半導體會議上,SK 海力士(SK hynix)宣布其應用於高頻寬記憶體(HBM)的混合鍵合(Hybrid Bonding)技術產量較兩年前有顯著提升。技術領導人 Kim Jong-hoon 表示,公司已完成 12 層 HBM 堆疊的驗證,並且在量產準備方面比過去更加充分。

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