Tag Archives: SiC

電動車 800V SiC 高壓平台發展動態

作者 TrendForce 集邦科技|發布日期 2022 年 11 月 01 日 7:30 |

分類技術分析 , 會員專區 , 汽車科技

800V 高壓快充方案已成為電動車製造商解決充電焦慮與續航焦慮的主流選擇，SiC MOSFET 憑耐高溫、高壓等物理特性，800V 電驅系統主逆變器完全取代 Si IGBT。繼續閱讀..

鴻海拚打通碳化矽任督二脈，關鍵在哪？

作者 MoneyDJ|發布日期 2022 年 10 月 19 日 10:00 |

分類晶片 , 汽車科技 , 零組件

鴻海科技日展示多項電動車關鍵零組件，其中重中之重的是首度亮相的 SiC（碳化矽）晶片，其占 SiC 模組成本高達約 85%，當中成功長出高品質晶錠（Ingot）是關鍵，也是鴻海電動車業務能否邁開大步、免於受關鍵零組件掣肘的關鍵拼圖，若 SiC 長晶環節能順利打通、導入量產，有助於鴻海進一步擴大平台出海口，讓潛在客戶買單。繼續閱讀..

SiC 垂直一體化廠商分析

作者 TrendForce 集邦科技|發布日期 2022 年 08 月 29 日 7:15 |

分類半導體 , 技術分析 , 晶圓

為確保供應鏈高度穩定，IDM 大廠已陸續切入上游襯底材料環節，並積極邁向 8 吋以進一步降低成本。

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搶 EV 商機，富士電機 SiC 功率半導體傳擴產至 10 倍

作者 MoneyDJ|發布日期 2022 年 07 月 27 日 9:02 |

分類半導體 , 材料、設備 , 汽車科技

搶攻需求看旺的電動車（EV）商機，日本富士電機（Fuji Electric）傳出將大幅增產碳化矽（SiC）功率半導體，計劃將 SiC 產能擴增至現行的 10 倍，目標奪下全球 2 成市占。

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化合物半導體關鍵設備發展動態

作者 TrendForce 集邦科技|發布日期 2022 年 07 月 19 日 8:15 |

分類半導體 , 技術分析 , 會員專區

SiC 在汽車電動化趨勢中迎來黃金 10 年，並在加速滲透進光伏逆變器等工業場景。

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車企搭載積極，2022 年車用 SiC 功率元件市場規模將突破 10 億美元

作者 TechNews|發布日期 2022 年 07 月 14 日 14:05 |

分類汽車科技 , 零組件 , 電動車

為進一步提升電動汽車動力性能，全球各大車企已將目光鎖定在新一代 SiC（碳化矽）功率元件，並陸續推出了多款搭載相應產品的高性能車型。據 TrendForce 研究，隨著越來越多車企開始在電驅系統中導入 SiC 技術，預估 2022 年車用 SiC 功率元件市場規模將達到 10.7 億美元，至 2026 年將攀升至 39.4 億美元。

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深化 SiC 基板助攻電動車！鴻海砸 5 億取得盛新材料 10％股權

作者姚惠茹|發布日期 2022 年 07 月 08 日 15:09 |

分類半導體 , 晶圓 , 證券

鴻海今日宣布參與盛新材料募資案，以保障碳化矽（SiC）基板的供應，透過鴻元國際投資，以每股 100 元的價格，購得 500 萬股，總計投資 5 億取得 10％股權，為完善供應鏈上游夥伴布局，建立鴻海在車用半導體領域的長期競爭優勢。

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從光伏儲能應用角度看第三代半導體發展狀況

作者 TrendForce 集邦科技|發布日期 2022 年 05 月 12 日 7:30 |

分類技術分析 , 會員專區 , 材料、設備

隨著全球環境不斷惡化與化石能源耗盡，世界各國都紛紛找尋適合人類生存發展的新型能源，建設光伏儲能項目是當下實行能源轉型的重要措施。第三代半導體具有高頻、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射等特性，能促進光伏儲能逆變器走向高效、高可靠性、低成本化，推動能源綠色低碳發展。

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碳化矽廠 Wolfspeed 遇中國封城營收遜，股價摔 14%

作者 MoneyDJ|發布日期 2022 年 05 月 06 日 9:25 |

分類材料、設備 , 財報 , 財經

碳化矽（SiC）材料領導廠商 Wolfspeed, Inc. 最新公布的上季營收遜於華爾街預期，中國封城成為逆風，股價應聲大跌。

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第三類半導體當紅炸子雞，前瞻布局攜手產、官、研積極投入

作者 Atkinson|發布日期 2022 年 03 月 18 日 13:00 |

分類 IC 設計 , 封裝測試 , 晶片

針對近期半導體產業中最關注的第三類半導體發展狀況，日前一場結合產、官、研的研討會，以「第三類半導體前瞻布局──材料、應用、供應鏈」為題就吸引了滿場的業界人士前來參加，顯示第三類半導體受當前受到重視的程度。其中，最先引題演說的 TrendForce 分析師曾冠瑋就表示，第三類半導體目前最具發展潛力的材料即為具備高功率及高頻率特性的寬能隙（Wide Band Gap，WBG）半導體，包含碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN），主要應用大宗為電動車、快充市場。據 TrendForce 研究推估，第三類功率半導體產值將從 2021 年的 9.8 億美元，至 2025 年將成長至 47.1 億美元，年複合成長率達 48%。

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2022 下半年將量產 8 吋基板，至 2025 年第三類功率半導體 CAGR 達 48%

作者 TechNews|發布日期 2022 年 03 月 10 日 13:55 |

分類材料、設備 , 零組件 , 電動車

目前最具發展潛力的材料即為具備高功率及高頻率特性的寬能隙（Wide Band Gap，WBG）半導體，包含碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN），主要應用大宗為電動車、快充市場。據 TrendForce 研究推估，第三類功率半導體產值將從 2021 年的 9.8 億美元，至 2025 年將成長 CAGR 至 47.1 億美元，年複合成長率達 48%。

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