3D NAND 前景佳,各廠下半年紛量產

作者 | 發布日期 2015 年 04 月 28 日 16:00 | 分類 Samsung , 晶片 , 零組件 follow us in feedly
FLICKR General Physics Laboratory (GPL)

跟隨三星電子(Samsung Electronics)腳步,SK 海力士(SK Hynix)、美光(Micron)等 NAND Flash 大廠都將在今年底量產 3D NAND,估計 3D NAND 有望在今年下半年起飛,明年全面蓬勃發展。




韓媒 etnews 28 日報導,SK 海力士將在今年第三季開始量產 36 層的 3D NAND 晶片,之後還將研發第三代(48 層)3D NAND 晶片。該公司也會積極進軍採用 NAND Flash 技術的固態硬碟(SSD),計劃在第三季量產,目標今年底前 3D TLC NAND SSD 銷售,佔總體 SSD 銷售的 20~30%。

三星是首家量產第二代(32 層)「三層式儲存(TLC)3D NAND」晶片業者,由於堆疊層數越多,能省下更多固定開支,且不需額外投資微縮製程,利潤更加豐厚,各家業者因此積極研發更多層數的 3D NAND。

NAND Flash 二哥東芝(Toshiba)和 SanDisk 合作護盤,東芝和韓廠不同,採用多層式儲存(MLC)技術,預計明年在日本四日市工廠,量產 48 層的 3D NAND 晶片。與此同時,美光則和英特爾(Intel)攜手,擬於今年底生產 32 層的 MLC NAND 晶片與 TLC NAND 晶片。

業界專家認為,3D NAND 明年將大幅成長,因為 3D NAND 在今年下半進入量產,需要 3D NAND 的高容量產品需求也快速成長,如 SSD、行動 NAND 等。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:Flickr/General Physics Laboratory (GPL) CC BY 2.0)

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