記憶體供過於求壓力大,三星西安廠第二階段擴廠喊卡

作者 | 發布日期 2016 年 02 月 05 日 13:00 | 分類 Samsung , 晶片 , 零組件 follow us in feedly

南韓三星電子(Samsung)在中國西安半導體工廠擴廠計畫幾乎確定喊停,可能原因是擔心東芝、SanDisk 與英特爾等對手競相增產,三星此時若加碼投資,恐導致市場供給過剩更為嚴重。



三星西安半導體廠主要生產 3D 架構的 NAND 型快閃記憶體(Flash Memory),於 2014 年開始投產,南韓媒體 Business korea 引述知情人士消息報導指出,該工廠第二階段擴廠工程已延後至 2016 年某個時間或更晚。

由於三星西安半導體廠目前使用面積僅佔預定地的五分之一,加上現有產能早已超出滿載,因此產業觀察家曾預期三星今年將如期執行擴廠工程,若非市況嚴重惡化,否則三星應不會拖延。西安廠目前每月產出 10 萬片晶圓,遠遠超出原先設定 6-7 萬片的規模。

報導指出,東芝與合作夥伴 SanDisk 大規模增產 NAND 快閃記憶體,是讓三星投資緊急喊卡的主因,理由是東芝為三星在 NAND 快閃記憶體市場上最大競爭對手,量產結構也最穩定。

在此同時,美光與英特爾共同開發的新 3D NAND 快閃記憶體技術也積極準備進入量產,三星也擔心兩者可能會搶走中國資料中心的生意。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載) 

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