Category Archives: 記憶體

外資看好記憶體景氣帶動南亞科營運，目標價調升至每股 115 元
作者 |發布日期 2018 年 03 月 13 日 14:00 |
分類 伺服器 , 國際貿易 , 數位貨幣

根據亞系外資最新公布的分析報告指出，台灣的 DRAM 記憶體大廠受惠於 2018 到 2019 年整體市場供需的影響，其營業利益將大幅上升的情況下，將帶動其營收動能。因此，給予「買進」的評等，其目標價也調升 38%，來到每股 115 元的價位，而這也是該外資首次將南亞科列入其追蹤個股。

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芝奇 2018 第五屆世界盃超頻大賽正式開跑，總獎金提升至 2 萬美元新高
作者 |發布日期 2018 年 03 月 12 日 15:50 |
分類 3C , 周邊 , 市場動態

國際超頻記憶體及電競周邊品牌，芝奇國際宣布年度液態氮超頻大賽最高殿堂「芝奇 2018 第五屆世界盃超頻大賽」正式開跑。本屆賽事總獎金大幅提升，提供總計高達 2 萬美元現金獎，總冠軍更可獨得 1 萬美元，為超頻界最高單一現金獎。賽事廣邀各國超頻好手共襄盛舉，在此年度盛事一同展現精湛的超頻技術。

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SSD 價格走跌，將帶動 2018 年筆電 SSD 搭載率突破五成
作者 |發布日期 2018 年 03 月 12 日 15:10 |
分類 儲存設備 , 筆記型電腦 , 記憶體

根據 TrendForce 記憶體儲存研究（DRAMeXchange）調查顯示，SSD 市場受到第一季淡季效應的影響，導致 PC OEM 拉貨需求較去年第四季明顯下滑，加上 SSD 供應商為促銷 64 / 72 層 3D-SSD 新品透過降價以提高 PC OEM 廠導入意願，第一季主流容量 PC-Client OEM SSD 合約價均價，在 SATA-SSD 部分較前一季下跌 3-5%；而 PCIe-SSD 部分則下跌 4-6%，結束過去一年多以來的漲勢。 繼續閱讀..

東芝半導體最遲在 6 月底前出售給美日韓聯盟，但部分股東不樂見
作者 |發布日期 2018 年 03 月 12 日 11:30 |
分類 國際貿易 , 記憶體 , 財經

根據《路透社》的報導，日本科技大廠東芝（Toshiba）表示，旗下的半導體業務在以 180 億美元協議出售給以貝恩資本（Bain Capital）為首的「美日韓聯盟」後，目前正在接受各國反壟斷法的查核與審查。其最後如果無法按約定在 3 月底之前完成半導體業務的出售，最遲也將在 6 月份完成。

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威剛擬配發 6 元現金股利，2 月營收月減 21.98%
作者 |發布日期 2018 年 03 月 07 日 17:30 |
分類 國際貿易 , 記憶體 , 財經

記憶體模組廠威剛，7 日公布 2018 年 2 月營收。威剛表示，2 月受農曆春節假期及工作天數較少的影響，合併營收為新台幣 20.61 億元，較 1 月減少 21.98%，也較 2017 年同期減少 23.71%。累計，2018 年前兩個月營收為 47.02 億元，較 2017 年同期的 52.09 億元衰退 9.7%。

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旺宏、華邦電 2 月營收小幅衰退，但仍看好全年營運表現
作者 |發布日期 2018 年 03 月 07 日 17:00 |
分類 國際貿易 , 記憶體 , 財經

國內記憶體生產廠商旺宏及華邦電紛紛在 7 日公布 2018 年 2 月財報。由於受 2 月開工日較少的影響，兩家公司 2 月營收都較 1 月衰退，卻較 2017 年同期成長。預計，2018 年記憶體市況仍維持需求大於供給，全年營運情況將樂觀看待。

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受惠晶圓廠關廠與轉移風潮，台積電與全球三大記憶體廠將維持優勢
作者 |發布日期 2018 年 03 月 07 日 10:00 |
分類 Samsung , 晶片 , 處理器

根據市場調查機構 IC Insights 日前公布的資料顯示，自 2009 年到 2017 年之間，全球共有 92 座 IC 晶圓廠關閉或變更用途。其中，關閉或變更用途的以 6 吋廠比率最高，占總數量的 41%、其次為 8 吋廠的 26%，4 吋、5 吋與 12 吋廠的比率則分別為 10%、13% 與 10%。這意味著未來半導體生產將更集中於當前業主，包括晶圓代工龍頭台積電，或是以記憶體生產為主的全球三大廠，都將持續保持大者恆大的優勢。

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三星確認興建平澤新工廠，投資 30 兆韓圜生產 DRAM 及 NAND Flash
作者 |發布日期 2018 年 03 月 02 日 15:30 |
分類 Samsung , 國際貿易 , 記憶體

根據南韓媒體的報導，南韓記憶體大廠三星已經確認，將會在南韓平澤市興建一座新的半導體工廠，用於擴大 DRAM、NAND Flash 快閃記憶體的產能。之前，南韓媒體《FN News》曾經引用業界人士和平澤市官員說法報導指出，三星電子將召開管理委員會議，決定是否興建第 2 座晶片廠，並於農曆新年後宣布決定。報導指出，總投資額可能約為 30 兆韓圜（約 27.6 億美元）。

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英特爾與美光在 3D NAND 96 層後終止合作，將各自尋找合作夥伴
作者 |發布日期 2018 年 03 月 01 日 14:45 |
分類 晶片 , 記憶體 , 零組件

英特爾與美光於 2018 年 1 月 8 日共同宣布，在完成第三代 3D NAND Flash 研發後，雙方將開啟各自的研發之路，雙方目前共同研發的第二代產品為 64 層 3D NAND Flash，預計第三代將可堆疊 96 層，也意味著 96 層以後 3D NAND Flash 的產品研發，英特爾將正式與美光分道揚鑣。儘管這項決議不會對雙方後續的製程提升、產品規劃產生重大影響，但在確定分家之後，雙方將有更大的彈性尋求新的合作夥伴。根據 TrendForce 記憶體存儲研究（DRAMeXchange）調查，英特爾與紫光集團正積極研擬後續合作計畫，雙方可望建立正式銷售合作關係。 繼續閱讀..