韓國記憶體大廠 SK 海力士日宣布,公司成功開發出搭載全球最高 321 層 1Tb TLC 4D NAND Flash 快閃記憶體的 UFS 4.1 行動解決方案產品 。
SK 海力士開發 321 層 UFS 4.1 NAND Flash,明年第一季量產 |
| 作者 Atkinson|發布日期 2025 年 05 月 22 日 10:30 | 分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 記憶體 |
技術外流風險:SK 海力士再爆員工跳槽華為洩密 |
| 作者 TechNews 編輯台|發布日期 2025 年 05 月 09 日 15:00 | 分類 人力資源 , 半導體 , 記憶體 | edit |
SK 海力士前(SK Hynix)員工因涉嫌將先進封裝技術非法轉移至華為子公司海斯半導體(HiSilicon),而被正式起訴。這些技術概括 3D NAND、高頻寬記憶體(HBM)、多晶片封裝以及 CMOS 影像感測器(CIS) 的關鍵封裝方法,凸顯了技術外流與高科技機密傳遞的風險。 繼續閱讀..
