Category Archives: 記憶體

韓媒：三星調漲 DRAM 報價、因應關稅備貨潮

作者 MoneyDJ|發布日期 2025 年 05 月 13 日 11:30 |

分類 Samsung , 國際貿易 , 記憶體

韓媒傳出，受到美國關稅戰掀起客戶提前備貨潮的帶動，三星電子（Samsung Electronics Co.）因需求高漲，決定順勢調漲 DRAM 價格。繼續閱讀..

技術外流風險：SK 海力士再爆員工跳槽華為洩密

作者 TechNews 編輯台|發布日期 2025 年 05 月 09 日 15:00 |

分類人力資源 , 半導體 , 記憶體

SK 海力士前（SK Hynix）員工因涉嫌將先進封裝技術非法轉移至華為子公司海斯半導體（HiSilicon），而被正式起訴。這些技術概括 3D NAND、高頻寬記憶體（HBM）、多晶片封裝以及 CMOS 影像感測器（CIS）的關鍵封裝方法，凸顯了技術外流與高科技機密傳遞的風險。繼續閱讀..

華邦電提升營運資金彈性，與十七家金融機構簽訂 7 年期 250 億元聯授案

作者 Atkinson|發布日期 2025 年 05 月 08 日 15:15 |

分類 IC 設計 , 公司治理 , 半導體

記憶體大廠華邦電舉行七年期新台幣 250 億元永續連結聯合授信案簽約典禮。簽約典禮由華邦電子董事長焦佑鈞及中國信託董事長陳佳文共同主持。本次聯合授信案之資金主要用途為提升營運資金彈性。受惠於華邦於 2024 年全年營運表現持續優於同業，此聯合授信案深獲銀行團支持，參貸踴躍，認購率超過 200%，最終順利募集新台幣 250 億元，充分彰顯銀行團對本公司穩健營運表現的高度信賴與肯定。

繼續閱讀..

新一代 3D X-DRAM 技術亮相，目標把 DRAM 位元容量提高 10 倍

作者 Atkinson|發布日期 2025 年 05 月 08 日 9:30 |

分類 IC 設計 , 半導體 , 國際觀察

外媒報導，NEO Semiconductor 宣布推出一項新技術，希望徹底改變 DRAM 記憶體的現狀。該公司推出了兩款新的 3D X-DRAM 單元設計，包括 1T1C 和 3T0C，其單電晶體單電容和三電晶體零電容的設計，預計將於 2026 年生產概念驗證測試晶片，並將提供當前一般 DRAM 模組 10 倍的容量。

繼續閱讀..

華邦電第一季營收 199.93 億元，單季 EPS 虧損 0.24 元

作者 Atkinson|發布日期 2025 年 05 月 07 日 17:10 |

分類 IC 設計 , 半導體 , 晶片

記憶體大廠華邦電公布 2025 年第一季的營收狀況，合併營收為新台幣 199.93 億元，較 2024 年同期減少 0.6%，營業毛利率為 25.6%，歸屬母公司稅後淨損為新台幣 10.91 億元，每股 EPS 為虧損新台幣 0.24 元。

繼續閱讀..

穩過輝達品質認證？三星信心滿滿提前量產 12 層堆疊 HBM3E

作者 Atkinson|發布日期 2025 年 05 月 06 日 15:15 |

分類 AI 人工智慧 , Samsung , 半導體

韓國媒體 ZDNet Korea 報導，三星電子 2 月已開始量產 12 層堆疊 HBM3E 高頻寬記憶體，但三星尚未通過輝達 12 層堆疊、單層達 36GB 容量 HBM3E 認證，無法供貨輝達，此決定可說是冒著累積大量庫存的風險。

繼續閱讀..

三星 HBM 越來越吃力，傳 Google 供應商換成美光

作者 Atkinson|發布日期 2025 年 05 月 02 日 9:20 |

分類 AI 人工智慧 , Samsung , 半導體

2023 年 10 月開始，三星就努力使 HBM3E 高頻寬記憶體通過輝達品質認證，但經過一年多，無論八層堆疊或 12 層堆疊，晶片性能都未能滿足要求，甚至影響財務表現。三星傳出修改 HBM3E 設計，5 月底至 6 月初再申請輝達認證。三星最近還打算逐步淘汰 HBM2E，資源轉向 HBM3E 和 HBM4。

繼續閱讀..

仍採 LPDDR5X？傳 iPhone 18 將採六通道記憶體應對 AI 工作負載

作者邱倢芯|發布日期 2025 年 04 月 30 日 10:23 |

分類 AI 人工智慧 , Apple , 記憶體

蘋果將於明年推出的 iPhone 18 系列可能在記憶體架構上迎來重大升級。據微博博主「數位閒聊站」指出，iPhone 18 預計將首度採用六通道記憶體架構，以支援生成式 AI 應用、密集多工處理與高效能遊戲等需求。然而令人意外的是，蘋果可能仍會沿用 LPDDR5X 記憶體標準，並不會升級至最新的 LPDDR6。

繼續閱讀..