Category Archives: 記憶體

AI 趨勢下，HBM、先進封裝助矽晶圓用量
作者 |發布日期 2024 年 07 月 01 日 14:45 |
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分類 半導體 , 晶圓 , 記憶體

矽晶圓產業今年受到客戶因持續執行長約進料，造成庫存消化速度較慢，而終端需求包括手機、電腦等的回升速度較慢，所以上半年仍有庫存的影響，但在 AI 持續發展，包括 AI 需要使用的高頻寬記憶體 HBM 以及先進封裝結構改變，都需要多增加使用矽晶圓，隨著庫存去化、AI 發展以及換機潮可望啟動下，矽晶圓產業明年展望樂觀。 繼續閱讀..

美光 2025 年搶占 HBM 市占率達 25%，三星、SK 海力士壓力倍增
作者 |發布日期 2024 年 07 月 01 日 11:10 |
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分類 半導體 , 記憶體 , 財經

外媒報導，記憶體大廠美光 (Micron) 採大膽策略，跨越第四代高頻寬記憶體 (HBM) HBM3，直接進軍第五代 HBM3E，目的在搶占下代 HBM 市占率。計畫開始有回報，美光獲 GPU 大廠輝達 (NVIDIA) 訂單，並開始增加供應後，2023 年底全面供應輝達 HBM3E 產品。

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HBM 排擠下，南亞科、華邦電受惠
作者 |發布日期 2024 年 07 月 01 日 11:00 |
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分類 半導體 , 記憶體 , 零組件

AI 趨勢為記憶體用量增長最為顯著的驅動力，且 AI 伺服器對高頻寬記憶體（HBM）需求急增，輔以龍頭晶圓廠聚焦生產 HBM 及 DDR5 產品，相對將使 2025 年傳統 DRAM 產能遭排擠近 40 萬片/月，推升 DDR3、DDR4 合約價續漲，而 DRAM 市占排名居三大原廠之後的南亞科、華邦電，則有望提升產品定價能力，成為最大受惠者。 繼續閱讀..

第三季 NAND Flash 產品合約價受原廠增加投產與終端需求下修壓抑，漲幅收斂至 5%~10%
作者 |發布日期 2024 年 06 月 28 日 14:32 |
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分類 半導體 , 國際貿易 , 記憶體

全球市場研究機構 TrendForce 最新調查顯示，第三季除了企業端持續投資伺服器，尤其企業 SSD 受惠 AI 擴大採用，延續訂單動能，消費性電子需求還是不振，加上原廠下半年增產幅度越趨積極，第三季 NAND Flash 供過於求比例（sufficiency ratio）上升至 2.3%，NAND Flash 均價（Blended Price）漲幅收斂至季增 5%~10%。 繼續閱讀..

伺服器支撐下半年需求，預估 DRAM 價格第三季漲幅達 8%~13%
作者 |發布日期 2024 年 06 月 27 日 15:12 |
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分類 伺服器 , 半導體 , 晶片

根據全球市場研究機構 TrendForce 最新調查顯示，由於通用型伺服器（general server）需求復甦，加上 DRAM 供應商 HBM 生產比重進一步拉高，使供應商將延續漲價態度，第三季記憶體均價將持續上揚。DRAM 價格漲幅達 8%~13%，其中 Conventional DRAM 漲幅為 5%~10%，較第二季漲幅略有收斂。

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美光 Q3 財報表現亮眼，但展望低於預期衝擊盤後股價跌 8%
作者 |發布日期 2024 年 06 月 27 日 9:16 |
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分類 半導體 , 記憶體 , 財報

記憶體大廠美光科技（Micron Technology）公布 2024 年第三季財報，整體受惠人工智慧需求快速成長，獲利表現超出預期，也帶動盤中股價收盤時上漲 0.88%。然當季營收預測僅略高於市場預期中值，表現不如預期，衝擊美光盤後交易股價，收盤時下跌近 8% 到每股 131 美元。

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