Category Archives: 記憶體

慧榮:輝達五年內 AI 霸主難撼動,帶動 NAND Flash 價格漲勢不停

作者 |發布日期 2024 年 05 月 26 日 12:40 | 分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 記憶體

記憶體控制 IC 大廠慧榮總經理苟嘉章表示,NAND Flash 通路復甦較預期更緩慢,除了資料中心市場一枝獨秀表現強勁,手機市場也有些微成長,其他市場表現都不佳。原廠仍保守擴產,以期以量制價,下半年 NAND Flash 價格仍會一路上漲,使中間通路商供應與市場兩邊都不討好下承壓。

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台積電沒有刁難,三星 HBM 因散熱與功耗沒通過輝達認證

作者 |發布日期 2024 年 05 月 24 日 10:00 | 分類 AI 人工智慧 , IC 設計 , Samsung

路透社報導,三星最新高頻寬記憶體 (HBM) 晶片未通過 GPU大廠輝達 (NVIDIA) 測試,市場人士說法,是散熱和功耗問題,導致輝達 AI 晶片無法作用,印證傳言三星 HBM 產品未通過台積電認證,是因產品本身問題。但三星當時否認。

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HBM3e 產出放量帶動,年底 HBM 投片量占先進製程 35%

作者 |發布日期 2024 年 05 月 20 日 14:47 | 分類 AI 人工智慧 , 晶片 , 記憶體

TrendForce 研究,三大原廠開始提高先進製程投片,繼記憶體合約價翻揚後,公司資金增加,產能提升集中在下半年,1 alpha 奈米以上投片至年底將占 DRAM 總投片比重約 40%。HBM 獲利表現佳,加上需求持續看增,故生產順序最優先。但受限良率僅約 50%~60%,且晶圓面積較 DRAM 產品放大逾 60%,即占投片比重高。以各家 TSV 產能看,至年底 HBM 將占先進製程 35%,其餘生產 LPDDR5(X)與 DDR5 產品。 繼續閱讀..

結合 N12FFC+ 和 N5 製程技術,台積電準備 HBM4 基礎晶片生產

作者 |發布日期 2024 年 05 月 17 日 9:45 | 分類 IC 設計 , 半導體 , 封裝測試

針對當前 AI 市場的需求,預計新一代 HBM4 記憶體將與當前的 HBM 產品有幾項主要的變化,其中最重要的就是記憶體堆疊連結介面標準,將從原本就已經很寬的 1024 位元,進一步轉向倍增到超寬的 2048 位元,這使得 HBM4 記憶體堆疊連結將不再像往常一樣,晶片供應商將需要採用比現在更先進的封裝方法,來容納堆疊連結介面超寬的記憶體。

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