根據研調機構 counterpoint 報告,目前主流 HBM 仍採用微凸塊(micro-bump)搭配熱壓鍵合(TCB)進行晶片連接,並已支援 12 至 16 層堆疊。然而,隨著未來 HBM 朝 20 層以上發展,微凸塊在訊號完整性、功耗與散熱表現上的限制逐漸浮現,使產業開始尋求新的解決方案。 繼續閱讀..
HBM 堆疊逼近極限,Hybrid Bonding 將成記憶體下一步關鍵技術 |
| 作者 蘇 子芸|發布日期 2026 年 04 月 03 日 17:10 | 分類 Samsung , 半導體 , 記憶體 |



