Category Archives: 記憶體

中國大廠合作開發 HBM 獲進展！力拚 2026 年生產 HBM2

作者林妤柔|發布日期 2024 年 05 月 15 日 18:48 |

分類 AI 人工智慧 , 中國觀察 , 會員專區

根據消息來源和文件顯示，兩間中國晶片製造商正處於生產高頻寬記憶體（HBM）半導體的早期階段，這主要用於 AI 晶片組。雖然在美國出口限令下，中國目前只在舊版 HBM 獲得進展，但也逐步擺脫對外國供應商的依賴。繼續閱讀..

傳三星、SK 海力士停產 DDR3 記憶體，帶動近期漲幅高達二成

作者林妤柔|發布日期 2024 年 05 月 15 日 10:20 |

分類半導體 , 國際貿易 , 會員專區

市場消息傳出，三星、SK 海力士下半年停止供應 DDR3 記憶體，目標轉向逐漸成長的 HBM3 記憶體，帶動近期 DDR3 價格上漲，最高幅度達二成。繼續閱讀..

三星 HBM3E 沒過輝達驗證，原因與台積電有關

作者 Atkinson|發布日期 2024 年 05 月 15 日 9:20 |

分類 Samsung , 半導體 , 封裝測試

記憶體大廠美光、SK 海力士和三星 2023 年 7 月底、8 月中旬、10 月初向輝達送樣八層垂直堆疊 24GB HBM3E，美光和 SK 海力士 HBM3E 2023 年初通過輝達驗證，並獲訂單，三星 HBM3E 卻未通過驗證。

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全球瘋半導體！不僅台積電，三星、SK 海力士外資持股比重也創高

作者 Atkinson|發布日期 2024 年 05 月 14 日 17:45 |

分類半導體 , 會員專區 , 記憶體

眾所周知，晶圓代工龍頭台積電外資持股比例超過七成。全球半導體產業持續發展，外資大幅加碼持股半導體類股成為趨勢。韓國媒體報導，繼韓國三星外資持股比例創 41 個月新高後，SK 海力士也在 4 月創外資持股比重歷史新高。

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三星、SK 海力士 HBM 都賣光，急調二成 DRAM 產能助陣

作者 MoneyDJ|發布日期 2024 年 05 月 14 日 12:15 |

分類半導體 , 國際貿易 , 記憶體

受到 AI 需求熱潮，三星電子（Samsung Electronics Co.）透露，手上的高頻寬記憶體（HBM）也全部賣光。三星、SK 海力士（SK Hynix Inc.）並異口同聲預測，今年 DRAM 及 HBM 報價都可望走堅。繼續閱讀..

SK 海力士加速 HBM4E 研發拚 2026 量產，比原訂早一年

作者 MoneyDJ|發布日期 2024 年 05 月 14 日 10:45 |

分類半導體 , 記憶體

SK 海力士（SK hynix）最新一代記憶體產品 HBM4E 醞釀中，2026 年有望量產，比原先預估的時程提早約一年。繼續閱讀..

記憶體價格持續上揚，擴產也無法暫停漲勢

作者 Atkinson|發布日期 2024 年 05 月 14 日 10:00 |

分類半導體 , 國際貿易 , 會員專區

近期記憶體市場 AI 需求帶動，價格持續高漲，記憶體廠商持續受惠，營運擺脫低潮多數轉虧為盈。市場消息指出，需求持續成長，即便供應商擴產，價格漲勢也回不去了。

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長江存儲持股近七成，中國武漢新芯啟動 IPO 計畫

作者 Atkinson|發布日期 2024 年 05 月 13 日 20:15 |

分類中國觀察 , 公司治理 , 半導體

中國據證監會官網顯示，Nor Flash 廠商武漢新芯近期在湖北證監局披露 IPO 輔導備案報告，預示武漢新芯開啟 IPO 行動。

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三星希望透過新鐵電材料，實現超過千層 NAND

作者林妤柔|發布日期 2024 年 05 月 13 日 11:47 |

分類 Samsung , 會員專區 , 材料

三星電子計劃實現「PB 級」記憶體目標，高層曾預期，V-NAND 在 2030 年疊加千層以上。最新消息指三星考慮用新「鐵電」材料（Hafnia Ferroelectrics）實現目標，且可能是關鍵。繼續閱讀..

威剛首季毛利率年增 15 個百分點，EPS 3.62 元創 11 季新高

作者 Atkinson|發布日期 2024 年 05 月 08 日 16:15 |

分類半導體 , 會員專區 , 記憶體

受惠低價庫存效益發酵，記憶體模組廠威剛 2024 年第一季毛利率 26.43%、營業利益新台幣 15.47 億元，同步改寫單季歷史高點，稅後淨利較 2023 年同期增加 17 倍，每股 EPS 3.62 元，也登上近 11 季以來高點。威剛看好在記憶體景氣上升格局下，公司 2024 年本業獲利將大步走揚，全年度營運績效與毛利率將挑戰新猷。

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