日韓貿易戰推現貨記憶體反彈，合約市場仍未撼動 |
作者
MoneyDJ|發布日期
2019 年 08 月 16 日 11:10 |
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6 月東芝停電事件，加上 7 月開始日韓貿易戰延燒，推動了已跌到虧損流血的 NAND Flash 現貨價率先反彈，結束了 2 年多來的空頭走勢，此波記憶體價格由 NAND Flash 先起漲，接下來日韓貿易戰加入下，DRAM 在 7 月份現貨價也開始反彈。 繼續閱讀..
價格下跌抵銷位元出貨增長，2019 年第二季 NAND Flash 品牌商營收持平第一季 |
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TechNews|發布日期
2019 年 08 月 15 日 14:50 |
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根據 TrendForce 記憶體儲存研究（DRAMeXchan
華為海思 5000 5G 基頻晶片體積大且效能不彰，使 Mate X 5G 版體驗不佳 |
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作者
Atkinson|發布日期
2019 年 08 月 13 日 16:30 |
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目前 5G 逐步商轉，終端設備開始陸續推出支援 5G 網路產品當下，能提出相關 5G 基頻晶片的廠商還寥寥可數，主要只高通、英特爾、三星、華為海思、聯發科及紫光展銳等。華為海思巴龍 5000 5G 基頻晶片日前搭備麒麟 980 處理器，在華為 Mate X 智慧手機提供 5G 版功能。不過，有國外研究機構表示，華為海思的巴龍 5000 5G 基頻晶片因設計問題，出現效能不彰的情況。
報復選項之一？韓總統府官員：考慮管制 DRAM 輸日 |
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MoneyDJ|發布日期
2019 年 08 月 13 日 15:25 |
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日韓關係劍拔弩張，南韓 12 日宣布準備把日本移出白色名單後，青瓦台（南韓總統府）官員又暗示，管控 DRAM 出口，是報復日本斷供的選項之一。 繼續閱讀..
3D 封裝技術突破，促使代工封測廠積極投入研發 |
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拓墣產研|發布日期
2019 年 08 月 13 日 9:00 |
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針對 HPC 晶片封裝技術，台積電已在 2019 年 6 月日本 VLSI 技術及電路研討會（2019 Symposia on VLSI Technology & Circuits），提出新型態 SoIC（System on Integrated Chips）3D 封裝技術論文；透過微縮凸塊（Bumping）密度，提升 CPU / GPU 處理器與記憶體間整體運算速度。整體而言，期望藉由 SoIC 封裝技術持續延伸，並當作台積電於 InFO（Integrated Fan-out）、CoWoS（Chip on Wafer on Substrate）後端先進封裝之全新解決方案。 繼續閱讀..
