3D 封裝技術突破，促使代工封測廠積極投入研發 |
作者
拓墣產研|發布日期
2019 年 08 月 13 日 9:00 |
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針對 HPC 晶片封裝技術，台積電已在 2019 年 6 月日本 VLSI 技術及電路研討會（2019 Symposia on VLSI Technology & Circuits），提出新型態 SoIC（System on Integrated Chips）3D 封裝技術論文；透過微縮凸塊（Bumping）密度，提升 CPU / GPU 處理器與記憶體間整體運算速度。整體而言，期望藉由 SoIC 封裝技術持續延伸，並當作台積電於 InFO（Integrated Fan-out）、CoWoS（Chip on Wafer on Substrate）後端先進封裝之全新解決方案。 繼續閱讀..
聯發科 7 月營收續站穩 200 億元大關，第 3 季有逐月成長空間 |
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作者
Atkinson|發布日期
2019 年 08 月 12 日 19:15 |
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IC 設計大廠聯發科 12 日公布 7 月份營收，金額來到新台幣 206.87 億元，雖然較 6 月份的 208.93 億元，減少 0.98%，但仍站穩 200 億元的關卡。較 2018 年同期的 204.24 億元，則是增加 1.29%。累計，2019 年前 7 個月的總營收來到 1,349.76 億元，較 2018 年同期的 1,305.59 億元，增加 3.38%。
SK 海力士 2030 年推 800+ 層堆疊 NAND Flash，屆時 SSD 可達 200TB |
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作者
Atkinson|發布日期
2019 年 08 月 12 日 16:30 |
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目前，兩大韓系 NAND Flash 廠商──三星及 SK 海力士在之前就已經公布了新 NAND Flash 產品的發展規劃。其中，三星宣布推出 136 層堆疊的第 6 代 V-NAND Flash 之外，SK 海力士則是宣布成功開發出 128 層堆疊的 4D NAND Flash，並已經進入量產階段。不過，雖然兩家廠商競相推出 NAND Flash 的新產品，但是堆疊技術的發展至今仍未到達極限。所以，SK 海力士日前在一場會議上就公布了公司的規劃，預計在 2030 年推出 800+ 層的 NAND Flash，屆時將可輕鬆打造出 100 到 200TB 容量的 SSD。
格芯推出 12 奈米 ARM 架構 3D 晶片，稱成熟度優於台積電 7 奈米 |
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作者
Atkinson|發布日期
2019 年 08 月 09 日 16:00 |
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晶圓代工大廠格芯（GlobalFoundries）8 日宣布，開發出基於 ARM 架構的 3D 高密度測試晶片，將實現更高水準的性能和功效。由於當前晶片封裝一直是晶片製造中的一個關鍵點，使得在傳統的 2D 封裝技術已經發展到瓶頸之後，半導體製造商們把目光轉向 3D 堆疊技術上。除了看到大量的 3D NAND Flash 快閃記憶體的應用，英特爾和 AMD 也都有提出關於 3D 晶片的研究報告。如今，ARM 和格芯也加入這領域。
第三季 NAND Flash 合約價跌幅收斂，Wafer 價格則逆勢上揚 |
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作者
TechNews|發布日期
2019 年 08 月 05 日 14:20 |
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根據 TrendForce 記憶體儲存研究（DRAMeXchange）調查指出，7 月各類產品合約價已出爐，整體而言合約價仍趨向走跌，但受到東芝跳電對產出直接衝擊，導致主流產品價格跌幅收斂。此外，近來日本對韓調整輸出規範一事也被認為會衝擊韓系廠商 NAND Flash 供給。 繼續閱讀..
