Tag Archives: 混合鍵合

三星混合鍵合 HBM 延至 2029 年，瞄準輝達 Feynman 平台一次亮相
作者 |發布日期 2026 年 07 月 22 日 9:51 |
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分類 Samsung , 半導體 , 封裝測試

隨著高頻寬記憶體（HBM）持續朝更高堆疊層數與更高頻寬演進，市場普遍視混合鍵合（Hybrid Bonding）為下一代 HBM 關鍵封裝技術。不過韓國業界消息傳出，三星可能將混合鍵合 HBM 大規模量產時程延後至 2029 至 2030 年，並與 NVIDIA 下一代 Feynman AI GPU 平台同步導入。 繼續閱讀..

不靠 EUV 也能獨自升級！華為公開新論文：麒麟 2026 導入 3D 堆疊＋混合鍵合
作者 |發布日期 2026 年 07 月 06 日 17:42 |
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分類 中國觀察 , 晶片

雖然受限於美國出口管制影響，無法取得最先進的 EUV 曝光設備，但華為仍持續開發具競爭力的晶片。根據華為最新的最新技術論文，其最新一代麒麟 2026 晶片將導入混合鍵合，讓系統單晶片（SoC）採用 3D 堆疊架構，突破既有的技術瓶頸。 繼續閱讀..

SK 海力士強化「混合鍵合」布局，力拚 2027 年 16 層 HBM 商用化
作者 |發布日期 2026 年 04 月 29 日 9:00 |
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分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 記憶體

在 4 月 28 日於首爾舉行的半導體會議上，SK 海力士（SK hynix）宣布其應用於高頻寬記憶體（HBM）的混合鍵合（Hybrid Bonding）技術產量較兩年前有顯著提升。技術領導人 Kim Jong-hoon 表示，公司已完成 12 層 HBM 堆疊的驗證，並且在量產準備方面比過去更加充分。

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HBM 堆疊逼近極限，Hybrid Bonding 將成記憶體下一步關鍵技術
作者 |發布日期 2026 年 04 月 03 日 17:10 |
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分類 Samsung , 半導體 , 記憶體

根據研調機構 counterpoint 報告，目前主流 HBM 仍採用微凸塊（micro-bump）搭配熱壓鍵合（TCB）進行晶片連接，並已支援 12 至 16 層堆疊。然而，隨著未來 HBM 朝 20 層以上發展，微凸塊在訊號完整性、功耗與散熱表現上的限制逐漸浮現，使產業開始尋求新的解決方案。 繼續閱讀..

業界首創！應材與貝思半導體合作，開發新「整合式」混合鍵合設備
作者 |發布日期 2025 年 10 月 08 日 15:30 |
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分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 材料、設備

應用材料（下稱應材）近日發表全新半導體製造系統，可提升 AI 運算所需的先進邏輯與記憶體晶片效能。新產品聚焦於研發更強大 AI 晶片的三大關鍵領域，即 GAA 等前瞻邏輯製程、HBM 等高效能 DRAM，以及用於打造高度整合系統級封裝、優化晶片效能、功耗及成本的先進封裝技術。 繼續閱讀..

SK 海力士率先推出 HBM3e 16hi 產品，推升位元容量上限
作者 |發布日期 2024 年 11 月 14 日 14:10 |
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分類 半導體 , 封裝測試 , 記憶體

SK 海力士近日於 SK AI Summit 2024 活動揭露開發中 HBM3e 16hi 產品，每顆 cube 容量為 48GB，2025 年上半送樣。TrendForce 最新研究，新產品潛在應用包括 CSP 自研 ASIC 和一般用途 GPU，有望 HBM4 世代量產前，提早於 HBM3e 世代推升位元容量上限。 繼續閱讀..

Hybrid bonding 成先進封裝顯學，用這項技術生產最多晶片的公司不是台積電，是它！
作者 |發布日期 2024 年 05 月 08 日 8:01 |
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分類 半導體 , 晶片 , 會員專區
檔名中文勿放首圖

從台積電最新北美技術論壇特別強調的技術，近一半篇幅與先進封裝有關，加上無論台積電、英特爾、三星甚至韓國政府，都計劃傾國家之力發展先進封裝，能看出半導體發展、晶片效能提升，先進封裝技術無疑扮演關鍵角色。 繼續閱讀..