品勛科技×是德科技「氮化鎵元件研討會」，解析第三代半導體 GaN 創新技術與應用 |
作者
TechNews|發布日期
2022 年 09 月 23 日 14:54 |
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品勛科技與是德科技將於 10/20 舉辦「確保寬能隙半導體 GaN 氮化鎵元件的穩定及可用性並加速其商業化技術研討會」，特邀講師包含國立陽明交通大學吳添立教授及宏汭精測林明正總經理。 繼續閱讀..
台達子公司碇基推第三代半導體技術，簽訂 4.56 億增資合約 |
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作者
Daisy Chuang|發布日期
2022 年 09 月 14 日 16:16 |
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台達子公司碇基半導體，專注於第三代半導體氮化鎵（GaN）技術用於開發功率半導體，今（14）日宣布已完成新一輪 4.56 億新台幣的增資合約簽訂。
環球晶衝刺化合物半導體，徐秀蘭：明年產能倍增 |
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作者
中央社|發布日期
2021 年 12 月 22 日 14:40 |
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半導體矽晶圓廠環球晶積極衝刺化合物半導體碳化矽（SiC）及氮化鎵（GaN）領域，董事長徐秀蘭表示，明年化合物半導體產能將同步倍增。
英特爾 IEDM 2021 發表多項先進技術，推動摩爾定律超越 2025 年 |
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作者
Atkinson|發布日期
2021 年 12 月 13 日 15:15 |
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不斷追尋摩爾定律的道路，英特爾 (Intel) 揭曉關鍵封裝、電晶體和量子物理等根本性突破，推進和加速運算進入下個十年。日前舉行的 IEEE International Electron Devices Meeting（IEDM）2021，英特爾概要論述採用混合鍵合（hybrid bonding）技術，封裝提升超過 10 倍互連密度、電晶體微縮達成 30%~50% 面積改善、新電源和新記憶體技術重大突破，以及未來某個時刻將徹底顛覆運算的新物理概念。
