Tag Archives: 氮化鎵

台亞首顆 650 V GaN 功率元件順利試產！子公司積亞明年量產 SiC 晶圓

作者林妤柔|發布日期 2023 年 07 月 26 日 17:54 |

分類光電科技 , 半導體 , 會員專區

台亞半導體 26 日召開法說會，雖然第二季表現仍受總體經濟情勢和終端消費力道影響，但從季成長率來看主要客群狀態，市場復甦已露曙光。繼續閱讀..

三星投入 2,000 億韓圜用 8 吋晶圓生產第三類半導體

作者 Atkinson|發布日期 2023 年 03 月 31 日 11:20 |

分類 IC 設計 , Samsung , 半導體

消息人士表示，分析支出金額，三星已有技術製造某些晶片原型，SiC 和 GaN 常用於最新電源管理零件，SiC 因耐用性受汽車產業高度青睞，GaN 則因具承受高頻快速開關，無線通訊更常應用，比矽基半導體產品更受高階應用青睞。

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整合 SiC / GaN 最強技術與資源！打造無與倫比的第三類半導體產業鏈

作者 Evan|發布日期 2023 年 03 月 28 日 10:04 |

分類 IC 設計 , 光電科技 , 半導體

由科技新報主辦、TrendForce 協辦的「產能再提升，第三類半導體前景無限」研討會於 3 月 24 日（五）於台大醫院國際會議中心舉行。會中邀請來自產官學研等領域的第三類半導體專家，共同探討這類熱門材料在低損耗、耐高溫、高壓、高頻及高功率元件的實際生產現況，以及在 5G 通訊、電動車、資料中心、3C 快充及 AI 等領域的應用前景。繼續閱讀..

OBC 及轉換器成為最佳突破點！台廠成為帶動車用 GaN 產能關鍵推手

作者 Evan|發布日期 2023 年 03 月 17 日 10:43 |

分類晶圓 , 晶片 , 會員專區

近年火紅的第三類、「寬能隙」（WBG）半導體，擁有比第一、第二類「低能隙」半導體更耐高溫、高壓及高頻的特性，因而更能滿足 5G 通訊、純電動車（BEV）、油電混合車（HEV）、消費性充電頭及資料中心等高功率、高電能轉換效率、低能耗、高速運算及高速充電等新興應用的需求。繼續閱讀..

第三類半導體因電動車迎來需求爆發，特斯拉的減用宣告會成為發展絆腳石嗎？

作者 Pin|發布日期 2023 年 03 月 15 日 8:30 |

分類半導體 , 晶圓 , 晶片

在科技產業今年陷入一片庫存調整修正之際，仍有一個市場交出年成長率超過 30% 的成績──那就是電動車產業。繼續閱讀..

電動車及再生能源產業積極導入，2023 年 SiC 功率元件市場產值估將突破 22 億美元

作者 TechNews|發布日期 2023 年 03 月 09 日 14:30 |

分類半導體 , 能源科技 , 電動車

第三類半導體包括碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN），整體產值又以 SiC 占 80% 為重。SiC 適合高壓、大電流的應用場景，能進一步提升電動車與再生能源設備系統效率。據 TrendForce 研究統計，隨著安森美（onsemi）、英飛凌（Infineon）等與汽車、能源業者合作案明朗化，將推動 2023 年整體 SiC 功率元件市場產值將達 22.8 億美元，年成長 41.4%。繼續閱讀..

特斯拉減用碳化矽，英飛凌還有氮化鎵！收購 GaN Systems 強化布局

作者 liu milo|發布日期 2023 年 03 月 03 日 10:49 |

分類半導體 , 晶片 , 會員專區

特斯拉前腳才宣布減用價格昂貴的碳化矽（SiC），改採無稀土永磁馬達，讓積極布局碳化矽的半導體廠英飛凌股價跟著受挫，然而，英飛凌不只在碳化矽積極布局，2 日宣布併購氮化鎵（Gan）功率半導體廠商 GaN Systems，強化在氮化鎵布局。繼續閱讀..

世界先進 0.35 微米 650 V 氮化鎵製程，正式量產

作者林妤柔|發布日期 2022 年 11 月 22 日 19:34 |

分類半導體 , 晶圓 , 會員專區

晶圓代工大世界先進今日宣布，領先 8 吋 0.35 微米 650 V 新基底高電壓氮化鎵製程（GaN-on-QST）已於客戶端完成首批產品系統及可靠性驗證，正式量產，為特殊積體電路製造服務領域首家量產此技術的公司。繼續閱讀..

品勛科技×是德科技「氮化鎵元件研討會」，解析第三代半導體 GaN 創新技術與應用

作者 TechNews|發布日期 2022 年 09 月 23 日 14:54 |

分類半導體 , 晶片

品勛科技與是德科技將於 10/20 舉辦「確保寬能隙半導體 GaN 氮化鎵元件的穩定及可用性並加速其商業化技術研討會」，特邀講師包含國立陽明交通大學吳添立教授及宏汭精測林明正總經理。繼續閱讀..

中美晶砸 4.56 億元入股碇基，擴大氮化鎵布局

作者中央社|發布日期 2022 年 09 月 14 日 18:15 |

分類半導體 , 晶圓 , 材料

太陽能廠中美晶今天與台達電子公司碇基半導體簽約，斥資新台幣 4.56 億元認購碇基現金增資。中美晶表示，希望藉此與碇基策略聯盟，擴大氮化鎵（GaN）領域布局。繼續閱讀..

台達子公司碇基推第三代半導體技術，簽訂 4.56 億增資合約

作者 Daisy Chuang|發布日期 2022 年 09 月 14 日 16:16 |

分類半導體 , 會員專區

台達子公司碇基半導體，專注於第三代半導體氮化鎵（GaN）技術用於開發功率半導體，今（14）日宣布已完成新一輪 4.56 億新台幣的增資合約簽訂。

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SK Siltron 攻第三代半導體，傳攜韓企研發碳化矽／氮化鎵

作者 MoneyDJ|發布日期 2022 年 09 月 14 日 15:15 |

分類半導體 , 晶圓 , 晶片

南韓廠商 SK Siltron 搶攻第三代半導體，據傳將與韓企 RFHIC 和 Yes Power Technix 成立合資企業，研發碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）半導體。繼續閱讀..

材料缺點成突破口！英新創 Porotech 翻轉氮化鎵特性，克服 Micro LED 單色瓶頸

作者林妤柔|發布日期 2022 年 08 月 19 日 8:30 |

分類光電科技 , 會員專區 , 材料、設備

近年 Micro LED 技術不斷突破，加上元宇宙、車用領域帶動次世代顯示技術的需求，商用化這一目標彷彿近在咫尺。其中，紅光 Micro LED 晶片一直是技術瓶頸，但英國 Micro LED 公司卻將材料的劣勢化為優勢，甚至有效縮短製程、降低成本，這到底怎麼做到？《科技新報》特地專訪 Porotech 執行長兼創辦人朱彤彤，來了解該公司的技術獨到之處。繼續閱讀..

部分晶片短缺持續到 2023 年，博世宣布投資 30 億歐元

作者 Atkinson|發布日期 2022 年 07 月 14 日 10:10 |

分類 IC 設計 , 公司治理 , 半導體

歐洲車用電子晶片大廠博世 (Bosch) 宣布，儘管當前全世界的通貨膨脹問題降低市場對某些消費品的需求，但博世仍舊預計某類型晶片供應瓶頸持續到 2023 年，故博世宣布斥資 30 億歐元生產晶片。

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第三類半導體市場動起來，安森美 6 吋廠出售將改為 GaN 代工廠

作者 Atkinson|發布日期 2022 年 02 月 15 日 10:20 |

分類 IC 設計 , 公司治理 , 國際觀察

根據荷蘭媒體《Bits & Chips》在於當地時間 2 月 10 日的報導指出，安森美半導體（OnSemi）位於比利時 Oudenaarde 的晶圓廠已被 Belgan Group 收購。而在完成收購之後，Belgan Group 預計將原本的 6 吋晶圓廠改造成 6 吋和 8 吋的氮化鎵 (GaN) 代工廠，布局第三類半導體市場，目標為包括汽車、型動、工業和可再生能源等的市場。

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