隨著全球進入 IoT、5G、綠能、電動車時代,能徹底展現耐高壓、高溫、高頻能耐,並滿足當前主流應用對高能源轉換效率要求的寬能隙(Wide Band Gap,WBG)半導體開始成為市場寵兒,半導體材料於焉揭開第三代半導體新紀元的序幕。 繼續閱讀..
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拓墣觀點》英諾賽科於第三代半導體快充峰會展示全新 GaN 晶片 |
| 作者 拓墣產研|發布日期 2021 年 08 月 20 日 7:30 | 分類 IC 設計 , 晶片 , 會員專區 |
以往透過降低能耗、提高電池容量增加設備續航力的效果有限,採用氮化鎵(GaN)晶片快速充電器有望成為改善續航力的主流解決方案,GaN 晶片需求亦持續攀升。7 月 30 日「全球第三代半導體快充產業峰會」於深圳舉辦,中國 GaN 大廠英諾賽科亦發表 4 款快速充電用的 GaN 晶片,分別是 INN650D150A、INN650DA150A、INN650D260A 與 INN650DA260A,4 款晶片耐壓皆可達 650V,封裝大小以 DFN 8×8 與 DFN 5×6 為主。 繼續閱讀..
更小體積+更大功率充電快感,Anker 推第二代 Nano II GaN 氮化鎵快充器 |
| 作者 Evan|發布日期 2021 年 05 月 26 日 15:06 | 分類 3C周邊 , 會員專區 |
Anker GaN 氮化鎵快充器是當前市面最好的充電器之一,雖然外型小巧,卻提供強勁充電效能,現在更推出第二代 GaN 快充器 Anker Nano II 系列。 繼續閱讀..





