Tag Archives: 碳化矽

世界先進斥資 24.8 億元認購漢磊私募，推碳化矽 8 吋晶圓研發
作者 |發布日期 2024 年 09 月 10 日 17:47 |
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分類 半導體 , 晶圓

漢磊今（10 日）與世界先進共同宣布簽訂策略合作協議，雙方將攜手合作，推動化合物半導體碳化矽（SiC）八吋晶圓的技術研發與生產製造；世界先進投資 24.8 億元，參與漢磊私募普通股認購，以共同推動具競爭優勢的產品製造服務，建立雙方的長期策略合作關係。 繼續閱讀..

一手好牌變爛牌！陸行之：Wolfspeed 公司快要歸零
作者 |發布日期 2024 年 08 月 23 日 11:35 |
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分類 半導體 , 晶圓 , 財報

碳化矽晶圓供應商 Wolfspeed 美股盤後公布 2024 年第四季財報，營收金額約 2.007 億美元，較 FactSet 統計的分析師預估 2.013 億美元低，經調整每股 EPS 虧損 89 美分，虧損幅度高於分析師預估的 85 美分。前外資知名分析陸行之表示，不知 Wolfspeed 何時宣布破產保護，還是便宜賣掉，本來一手好牌打成爛牌。

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英飛凌於馬來西亞啟用全球最大，最具效率碳化矽功率半導體晶圓廠
作者 |發布日期 2024 年 08 月 09 日 8:30 |
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分類 半導體 , 國際觀察 , 晶圓

歐洲半導體大廠英飛凌宣布，其位於馬來西亞的新廠一期建設正式啟動運營。建設完成後，該廠將成為全球最大且最具競爭力的 8 吋碳化矽 （SiC） 功率半導體晶圓廠。這座高效率的 8 吋碳化矽 (SiC) 功率半導體晶圓廠將進一步強化英飛凌作為全球功率半導體領導者的地位。新廠一期建設的投資額為20億歐元，將專注於碳化矽功率半導體的生產，並涵蓋氮化鎵 （GaN） 的磊晶製程。

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三星進軍下一代功率半導體，開啟氮化鎵市場
作者 |發布日期 2024 年 07 月 30 日 7:30 |
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分類 Samsung , 半導體 , 會員專區

2024 年三星電子（Samsung）持續增加半導體（Device Solutions，DS）部門旗下功率半導體研發資源，由於生成式人工智慧（Artificial Intelligence Generated Content，AIGC）發展，連帶使伺服器（Server）功耗迅速提升，功率半導體需求擴大，加上電動車和個人電腦等需求增加，2023 年成立化合物半導體解決方案（Compound Semiconductor Solutions，CSS）團隊，致力功率半導體，擴大功率半導體產能。 繼續閱讀..