2021 年 140 層堆疊 3D NAND Flash 將推出,容量也將翻倍增加

作者 | 發布日期 2018 年 05 月 15 日 15:45 | 分類 記憶體 , 零組件 follow us in feedly

全球半導體材料及設備大廠應用材料公司,在目前舉行中的國際儲存研討會 2018(IMW 2018)表示,2021 年 3D NAND Flash 的堆疊層數將超過 140 層,且每一層厚度會不斷變薄,屆時將提供更大容量、更小體積的儲存空間。




國際儲存研討會,應用材料介紹了未來幾年 3D NAND Flash 的發展線路圖。應材指出,自 3D NAND Flash 誕生以來,堆疊層數就在不斷成長。三星生產的第一代 3D V-NAND 只有 24 層堆疊,下一代就變成 32 層,隨後就到 48 層;現在大多數廠商都在生產 64 層堆疊的 3D NAND Flash。SK 海力士則突破瓶頸,開始生產 72 層堆疊的 3D NAND Flash。預計下一代 3D NAND Flash 堆疊層數將超過 90 層,再下一個階段會超過 120 層,到 2021 年時會超過 140 層堆疊數。

此外,NAND Flash 的 Memory Density per Die(裸晶容量)也隨著堆疊層數成長而增加。也隨著堆疊層數成長而增加。32 層時代是 128Gbit,48 層來到 256Gbit。目前 64 或 72 層則達到 512Gbit 容量,預計 2019 年推出 96 層堆疊 NAND Flash 應該會達到 768Gbit。未來 128 層將有超過 1024Gbit 的 Die Size。預計 2021 年推出的 144 層堆疊 NAND Flash,雖然目前不清楚 Die Size 會有多大,但可以肯定的是絕對大於或等於 1024Gbit。

應材進一步指出,雖然 NAND Flash 隨著堆疊層數增加,儲存堆疊的高度也在加大,然而每層厚度隨著科技進步卻在縮小。過去,32 及 36 層堆疊的 3D NAND Flash 堆疊厚度為 2.5μm,單層厚度約 70nm。到了 48 層堆疊的 3D NAND Flash 堆疊厚度則為 3.5μm,單層厚度減少到 62nm。現在 64 或 72 層 3D NAND Flash 堆疊厚度大約 4.5μm,單層厚度減少到 60nm。以此規則計算,每升級一世代,堆疊厚度都會變成原來的 1.8 倍,但單層厚度會變成 0.86 倍。

應材指出,目前各家廠商都在 3D NAND Flash 增加研發水準,盡可能提升快閃記憶體的儲存密度。之前東芝與威騰宣布,計劃 2018 年大規模生產 96 層堆疊的 BiCS4 3D NAND Flash,並會在年底前發貨。隨著資料增加越來越快的影響下,3D NAND Flash 的發展也成為各記憶體廠努力的目標。以求未來能提供更小體積、更大容量的產品來滿足消費者需求。

(首圖來源:美光科技)