長鑫儲存打頭陣,中國首款自主設計的 DRAM 傳年底量產

作者 | 發布日期 2019 年 06 月 13 日 11:15 | 分類 中國觀察 , 晶圓 , 晶片 follow us in feedly


中國於 2016 年創立的一家記憶體業者,即將成為第一家量產本土設計記憶體晶片的中國廠商,未來將跟三星電子(Samsung Electronics)、美光(Micron Technology)一較高下。

日經新聞英文版 12 日引述未具名消息人士報導,長鑫儲存技術(Changxin Memory Technologies,簡稱 CXMT,前身為合肥睿力集成電路(Innotron Memory,又稱合肥長鑫))已經重新設計自家的 DRAM 晶片,將美國科技的使用量降到最低。市場普遍認為,長鑫可能是華盛頓下一個瞄準的目標。

消息透露,長鑫還是無法完全免於威脅,因為該公司依舊得仰仗美國設備廠(如 Applied Materials、Lam Research 及 KLA-Tencor)和電子設計自動化(EDA)工具供應商(如 Cadence 及 Synopsys)生產晶片,也得靠 Dow Chemical 提供原料。不過,重新設計過後的 DRAM,可讓長鑫免於美方竊取智慧財產權的控訴。長鑫的 DRAM 科技主要來自 2009 年破產的奇夢達(Qimonda)。

長鑫在合肥斥資 80 億美元打造一座晶片製造廠,預計今年底前投產這些關鍵的記憶體零件,一開始將月產約 10,000 片矽晶圓。消息透露,長鑫今年的資本支出將達 10~15 億美元,已超越全球第 4 大 DRAM 製造商──南亞科去年支出的 6.5 億美元。

市調機構 CINNO 分析師 Sean Yang 指出,跟全球 130 萬片 DRAM 矽晶圓的月產量相較,長鑫的產能雖微不足道,但對於目前完全無法自製 DRAM 的中國來說,卻是一大突破。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:shutterstock)

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