韓媒《HankYung》報導，三星電子本月將開始量產第九代 V-NAND（即 3D NAND），將擁有 290 個主動層（active layer）。據報導，三星還計劃明年下半年推出 430 層 NAND 晶片，即第 10 代 V-NAND。 繼續閱讀..
Category Archives: 記憶體
美光：台灣強震短期衝擊 DRAM 供應，單季影響 4%~6% |
作者
MoneyDJ|發布日期
2024 年 04 月 12 日 8:57 |
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記憶體大廠美光（Micron Technology）宣布，台灣 4 月 3 日發生的 7.2 級強震，對單季的 DRAM 供應影響最多介於 4%~6%（mid-single digit percentage）。
DRAM 廠陸續恢復生產，影響第二季總 DRAM 位元產出低於 1% |
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作者
TechNews|發布日期
2024 年 04 月 10 日 14:30 |
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TrendForce 的 403 震後 DRAM 產業影響調查，各供應商檢修及報廢晶圓數量不一，且廠房設備制震能力均達一定效果，整體衝擊較小。美光、南亞科、力積電、華邦電等，均大致恢復 100% 產線運作，僅美光轉進至先進製程，多為 1 alpha 與 1 beta 奈米，對整體 DRAM 產出位元占比影響較高；其餘台灣 DRAM 廠仍停在 38、25 奈米，產出占比較小。整體而言，403 地震對第二季 DRAM 產出位元影響可控制在 1% 內。 繼續閱讀..
