SK 海力士日前宣布,計劃開發4F2(方形)DRAM,與競爭對手三星十分相似。SK 海力士研究員 Seo Jae Wook 週一(12 日)在首爾舉辦的產業會議中指出,自從 1c DRAM 商用化之後,極紫外線(EUV)製程成本就快速攀升。 繼續閱讀..
為降 EUV 製程成本,SK 海力士目標 10 奈米以下採 3D DRAM 技術 |
| 作者 林 妤柔|發布日期 2024 年 08 月 13 日 12:41 | 分類 半導體 , 晶片 , 記憶體 |



