根據國外媒體的報導,台北時間 8 月 26 日晚間,晶圓代工廠商格芯(GlobalFoundries) 在美國及德國發起多項侵權官司,指控晶圓代工龍頭台積電侵犯其 16 項專利。報導指出,目前訴訟已經提交給美國國際貿易委員會(ITC),德拉瓦州和德克薩斯州西區的美國聯邦地區法院,以及德國杜塞爾多夫和曼海姆地區的法院。不過,對於格芯發起的侵權官司,台積電也指出,所有技術 100% 自行研發,而且一切合法。
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台積電高居 2019 上半年全球前 15 大半導體企業第 3,聯發科擠進第 15 名 |
| 作者 Atkinson|發布日期 2019 年 08 月 21 日 10:30 | 分類 GPU , 晶圓 , 晶片 |
雖然 2019 年上半年有著記憶體產能過剩、美中貿易戰、以及日韓貿易戰等因素的影響,整體半導體市場景氣衰退。不過,根據市場研究調查機構《IC Insights》調查報告顯示,2019 年上半年的全球前 15 大半導體廠商,台積電與聯發科都雙雙入榜。至於,龍頭寶座則不意外的由處理器龍頭英特爾(intel)自三星的手中搶回失去兩年的位置。而值得觀察的是,在全球半導體產業不景氣的狀況下,前 15 大半導體廠商中唯有 SONY 的營收較 2018 年同期成長。
華為海思 5000 5G 基頻晶片體積大且效能不彰,使 Mate X 5G 版體驗不佳 |
| 作者 Atkinson|發布日期 2019 年 08 月 13 日 16:30 | 分類 Android 手機 , 中國觀察 , 手機 |
目前 5G 逐步商轉,終端設備開始陸續推出支援 5G 網路產品當下,能提出相關 5G 基頻晶片的廠商還寥寥可數,主要只高通、英特爾、三星、華為海思、聯發科及紫光展銳等。華為海思巴龍 5000 5G 基頻晶片日前搭備麒麟 980 處理器,在華為 Mate X 智慧手機提供 5G 版功能。不過,有國外研究機構表示,華為海思的巴龍 5000 5G 基頻晶片因設計問題,出現效能不彰的情況。

3D 封裝技術突破,促使代工封測廠積極投入研發 |
| 作者 拓墣產研|發布日期 2019 年 08 月 13 日 9:00 | 分類 晶圓 , 晶片 , 零組件 |
針對 HPC 晶片封裝技術,台積電已在 2019 年 6 月日本 VLSI 技術及電路研討會(2019 Symposia on VLSI Technology & Circuits),提出新型態 SoIC(System on Integrated Chips)3D 封裝技術論文;透過微縮凸塊(Bumping)密度,提升 CPU / GPU 處理器與記憶體間整體運算速度。整體而言,期望藉由 SoIC 封裝技術持續延伸,並當作台積電於 InFO(Integrated Fan-out)、CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)後端先進封裝之全新解決方案。 繼續閱讀..
聯發科 7 月營收續站穩 200 億元大關,第 3 季有逐月成長空間 |
| 作者 Atkinson|發布日期 2019 年 08 月 12 日 19:15 | 分類 Android 手機 , 國際貿易 , 手機 |
IC 設計大廠聯發科 12 日公布 7 月份營收,金額來到新台幣 206.87 億元,雖然較 6 月份的 208.93 億元,減少 0.98%,但仍站穩 200 億元的關卡。較 2018 年同期的 204.24 億元,則是增加 1.29%。累計,2019 年前 7 個月的總營收來到 1,349.76 億元,較 2018 年同期的 1,305.59 億元,增加 3.38%。
SK 海力士 2030 年推 800+ 層堆疊 NAND Flash,屆時 SSD 可達 200TB |
| 作者 Atkinson|發布日期 2019 年 08 月 12 日 16:30 | 分類 晶圓 , 會員專區 , 記憶體 |
目前,兩大韓系 NAND Flash 廠商──三星及 SK 海力士在之前就已經公布了新 NAND Flash 產品的發展規劃。其中,三星宣布推出 136 層堆疊的第 6 代 V-NAND Flash 之外,SK 海力士則是宣布成功開發出 128 層堆疊的 4D NAND Flash,並已經進入量產階段。不過,雖然兩家廠商競相推出 NAND Flash 的新產品,但是堆疊技術的發展至今仍未到達極限。所以,SK 海力士日前在一場會議上就公布了公司的規劃,預計在 2030 年推出 800+ 層的 NAND Flash,屆時將可輕鬆打造出 100 到 200TB 容量的 SSD。



