Tag Archives: 長江存儲

美盯上長江存儲有利美光？限令對英特爾衝擊高於 AMD
作者 |發布日期 2022 年 10 月 11 日 9:45 |
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分類 半導體 , 國際貿易 , 晶片

拜登政府 10 月 7 日祭出針對中國的先進晶片出口限令、目的是阻礙北京當局的科技及軍事發展，持續衝擊中美半導體類股下挫。分析人士直指，台積電受到的影響應該有限，但英特爾（Intel Corp.）、輝達（Nvidia Corp.）等美國晶片業者恐將備受打擊。 繼續閱讀..

拜登實體清單限制出口禁令一次下手，要讓中國半導體產業倒退多年
作者 |發布日期 2022 年 10 月 08 日 9:15 |
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分類 IC 設計 , 中國觀察 , 半導體

根據路透社的報導，美國拜登政府 7 日公布了一套全面的出口管制措施，其中包括禁止中國使用在世界任何地方使用美國設備製造的某些半導體晶片，進而大大擴大其影響力，以減緩中國半導體晶片的技術發展速度和軍事進步。

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美國會炮口對準長江存儲，轟蘋果「玩火」
作者 |發布日期 2022 年 09 月 12 日 9:00 |
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分類 Apple , iPhone , 半導體

美國共和黨議員警告，若蘋果（Apple Inc.）試圖為 iPhone 14 向中國一家具爭議性的半導體廠商購買記憶體晶片，恐面臨嚴厲檢視。另一方面，美國總統拜登（Joe Biden）則在英特爾（Intel Corp.）俄亥俄州晶圓廠動土之際，宣揚《晶片與科學法案》（Chips and Science Act，CHIPS Act）旗開得勝，帶動美國半導體類股跌深強彈。

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不忍了！SK 海力士與長江存儲宣布開發完成 238 及 232 層 NAND Flash
作者 |發布日期 2022 年 08 月 03 日 14:45 |
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分類 IC 設計 , 半導體 , 晶片

日前美商記憶體大廠美光科技 (Micron) 領先業界推出 232 層堆疊 NAND Flash 快閃記憶體，南韓 SK 海力士與中國長江存儲不忍了，也分別宣布開發完成 238 層及 232 層堆疊 NAND Flash 產品，代表往更高容量發展的 NAND Flash 技術競爭持續。

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