2019 年底在舊金山舉辦的年度國際電子元件會議(IEDM)上,台積電公布的兩個報告標誌著積體電路製造邁入了 EUV 微影時代。第一個報告宣布了應用 EUV 微影技術的 7 奈米世代的改良版晶片已經於 2019 年正式量產,我們知道這個技術已經用在 2019 年生產的麒麟 990 5G 這顆有多於 100 億個電晶體的晶片上。
Tag Archives: ASML

不受摩爾定律限制,ASML 開始設計 1 奈米製程曝光設備 |
| 作者 Atkinson|發布日期 2020 年 12 月 01 日 6:00 | 分類 IC 設計 , 國際觀察 , 晶圓 |
根據外媒報導,日前在日本東京舉行了 ITF(IMEC Technology Forum,. ITF)論壇。在論壇上,與荷蘭商半導體大廠艾司摩爾(ASML)合作研發半導體曝光機的比利時半導體研究機構 IMEC 正式公布了 3 奈米及以下製程的在微縮層面的相關技術細節。根據其所公布的內容來分析,ASML 對於 3 奈米、2 奈米、1.5 奈米、1 奈米,甚至是小於 1 奈米的製程都做了清楚的發展規劃,代表著 ASML 基本上已經能開發 1 奈米製程的曝光設備了。



