Tag Archives: GaN

英飛凌斥資逾 20 億歐元，馬來西亞擴產強化 SiC、GaN 製造能力
作者 |發布日期 2022 年 02 月 22 日 10:24 |
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分類 公司治理 , 國際觀察 , 晶圓

為進一步鞏固功率半導體市場競爭優勢，英飛凌（Infineon）宣布將大幅提升寬能隙（碳化矽和氮化鎵）半導體的產能，欲斥資逾 20 億歐元，在馬來西亞居林工廠建造第三個廠區。建成之後，新廠區將用於生產碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）功率半導體產品，每年可為英飛凌創造 20 億歐元收入。

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意法半導體首款 PowerGaN 元件亮相，強攻消費性電子商機
作者 |發布日期 2022 年 01 月 11 日 15:29 |
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分類 晶圓 , 晶片 , 會員專區

鎖定消費性電子市場，意法半導體（ST）今日宣布推出新系列 GaN 功率半導體產品（PowerGaN），能大幅降低各種電子產品的能量消耗並縮小尺寸；可用於充電器、PC 外接電源適配器、LED 照明驅動器、電視機等。不僅如此，該產品亦能用於高功率市場，像是工業驅動馬達、太陽能逆變器、電動汽車及充電器等。

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2021 年全球 GaN 功率廠商出貨量市占率排名預測，納微半導體以 29% 奪冠
作者 |發布日期 2021 年 09 月 30 日 14:35 |
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分類 晶片 , 零組件

根據 TrendForce 研究顯示，受惠於消費性快充產品需求快速上升，如手機品牌小米（Xiaomi）、OPPO、vivo 自 2018 年起率先推出快速充電頭，憑藉高散熱效能與體積小的產品優勢獲得消費者青睞，截至目前筆電廠商也有意跟進，使 GaN 功率市場成為第三代半導體產業中產值上升最快速的類別，預估 2021 年營收將達 8,300 萬美元，年增率高達 73%。 繼續閱讀..

強攻第三代半導體，台灣光電產業整合「打群架」成關鍵
作者 |發布日期 2021 年 09 月 24 日 9:30 |
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分類 晶圓 , 晶片 , 會員專區

「第三代半導體」無疑是 2021 年投資市場寵兒，然而，若從國外廠商近年來積極透過併購發展第三代半導體材料與技術，以及中國砸重本全力投入第三代半導體的開發，就能一窺第三代半導體的重要性。它已不再只是投資市場的熱門詞，更是台灣科技產業不能不掌握的關鍵技術！ 繼續閱讀..

拓墣觀點》MOSFET 成長動能在哪些領域？
作者 |發布日期 2021 年 09 月 23 日 7:30 |
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分類 晶片 , 會員專區 , 汽車科技

從功率半導體元件市場來看，用於工業領域比重最高，包括電機控制、軌道交通、無線電力供給、能源控制、智慧電網等領域，占比長期大於 3 成，預計 2021 年將達 35%；再來則是汽車應用占 29%，將隨著新能源車 / 電動車發展讓車用、高壓 MOSFET 市場逐漸擴大；此外，消費電子在 2021 年因筆記型電腦、智慧型手機、穿戴裝置、快充頭等需求提高，也有 18% 占比，而通訊、運算領域分別占 10% 與 7%。 繼續閱讀..

邁向台灣下一個護國神山，第三代半導體概念股發光
作者 |發布日期 2021 年 09 月 22 日 9:30 |
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分類 晶圓 , 晶片 , 會員專區

隨著 5G 、電動車的發展，中國十四五規畫投入 10 兆人民幣發展「第三代半導體」，而台廠也挾帶著半導體產業鏈優勢，引領相關概念股脫穎而出，鴻海董事長劉揚偉更是高喊要打造第三代半導體成為台灣下一個護國神山，連台積電都看好未來十年前景大開，顯見背後龐大的市場商機。

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搞懂第三代半導體與前兩代的差異關鍵，不同世代半導體的消長與共存
作者 |發布日期 2021 年 09 月 22 日 9:15 |
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分類 IC 設計 , 封裝測試 , 晶圓

隨著全球進入 IoT、5G、綠能、電動車時代，能徹底展現耐高壓、高溫、高頻能耐，並滿足當前主流應用對高能源轉換效率要求的寬能隙（Wide Band Gap，WBG）半導體開始成為市場寵兒，半導體材料於焉揭開第三代半導體新紀元的序幕。  繼續閱讀..

第三代半導體到底紅什麼？4 張圖秒懂 GaN、SiC 這一項關鍵技術
作者 |發布日期 2021 年 09 月 22 日 9:00 |
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分類 5G , 國際觀察 , 尖端科技

第三代半導體是目前高科技領域最熱門的話題，在 5G、電動車、再生能源、工業 4.0 發展中扮演不可或缺的角色，即使常聽到這些消息，相信許多人對它仍一知半解，好比第三代半導體到底是什麼？為何台積電、鴻海積極布局？台灣為什麼必須跟上這一波商機？對此，本系列專題將用最淺顯易懂、最全方位的角度，帶你了解這個足以影響科技產業未來的關鍵技術。

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英飛凌與 Panasonic 合作，加速 650V 氮化鎵技術發展
作者 |發布日期 2021 年 09 月 06 日 15:35 |
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分類 晶圓 , 晶片 , 會員專區

半導體大廠英飛凌（Infineon）今日宣布，和 Panasonic 公司已針對共同開發及生產第二代（Gen2）氮化鎵（GaN）技術簽訂合約，基於已獲認可接受的 GaN 技術，Gen2 技術將提供更高效率和功率密度水準。另外，為了因應市場需求，Gen2 將會開發為 650V GaN HEMT；該裝置具備易使用性和更高的性價比，主要應用包括高功率與低功率的 SMPS 應用、再生能源、馬達驅動等。

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