Tag Archives: GAAFET

寶山廠建置計畫放緩，業界傳出台積電 2 奈米量產計畫延至 2026 年
作者 |發布日期 2023 年 09 月 18 日 16:26 |
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分類 半導體 , 晶圓 , 晶片

台積電 2 奈米廠正緊鑼密鼓建設中，北中南皆有重大投資，分別是新竹寶山廠、台中中科廠及高雄楠梓廠，根據最新供應鏈消息，寶山廠建置計畫開始放緩，恐影響原訂量產計畫，業內人士推測，放量的時間恐將延後 2026 年。 繼續閱讀..

中國半導體產業最大衝擊！美國祭四大禁令管制 EDA 出口
作者 |發布日期 2022 年 08 月 14 日 23:11 |
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分類 IC 設計 , 半導體 , 國際觀察

美國商務部工業與安全局（BIS）12 日發最新聲明，為確保美國國家安全，8 月 15 日起祭出四大出口管制措施，包含可承受高溫電壓的第四代半導體材料氧化鎵（Ga2O3）和金剛石，以及開發驗證 3 奈米以下 GAAFET 架構的電子設計自動化軟體（Electronics Design Automation，EDA），還有火箭、高超音速系統的增壓燃燒技術（Pressure-gain combustion，PGC）。

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台積電 N2 製程不會同時採用 GAAFET 及晶背供電技術以降低風險
作者 |發布日期 2022 年 07 月 05 日 16:00 |
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分類 半導體 , 晶圓 , 晶片

外媒《AnandTech》報導，台積電技術論壇公布 2 奈米製程 (N2) 細節時表示，將採用兩個關鍵性技術，閘極全環電晶體技術 (GAAFET) 與晶背供電技術。不過兩項技術預計不會同時用在 N2 節點，預計比 N2 更先進的改良版製程，才會用到晶背供電技術。

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三星 3 奈米 GAA 部分細節曝光，電晶體密度最高較 7 奈米提升 80%
作者 |發布日期 2021 年 03 月 15 日 15:10 |
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分類 Samsung , 晶圓 , 晶片

目前晶圓代工市場正加緊布局，期望 2030 年能超車台積電，成為系統半導體龍頭的三星，2020 年初就宣佈克服 3 奈米製程關鍵的 GAAFET 環繞閘極電晶體製程，預計 2022 年正式推出。雖然目前此製程技術消息甚少，據外媒《tomshardware》報導，三星在 IEEE 國際積體電路會議，公佈採用 GAAFET 技術的 3GAE 製程部分相關細節，可一窺三星目前發展。

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研調：2019~2024 年全球晶圓代工產值 CAGR 估 5.3%
作者 |發布日期 2019 年 10 月 14 日 14:00 |
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分類 國際貿易 , 晶圓 , 晶片

今年下半終端市場需求疲弱、貿易戰等不利因素持續影響，DIGITIMES Research 分析師陳澤嘉預估，2019 年全球晶圓代工產值將衰退 3%，但隨總體經濟緩步回溫，及 5G、AI、高效能運算（HPC）等應用需求增加，加上晶圓代工業者持續推動先進製程，並積極布局 3D IC 封裝技術，以延續摩爾定律發展，預估明年全球晶圓代工產值將重回成長軌道，2019~2024 年全球晶圓代工產值年複合成長率（CAGR）可望達 5.3%。 繼續閱讀..