南韓電子大廠 LG 於 17 日宣布，公司已經成功開發用於各項智慧家電的人工智慧 (AI) 晶片，現階段也在努力希望能將其應用擴展到自駕車的項目上。
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再次期待記憶體價格 1GB 新台幣 100 元，16GB×2 雙通道、高時脈將更為普及 |
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T客邦|發布日期
2019 年 05 月 17 日 8:15 |
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遙想當年 DDR3 時代各家廠商低價搶食市場，甚至出現傷敵 7 分自損 3 分的競爭策略，DDR3-1600 1GB 換算只要新台幣 100 元，不少人都趁此機會添購過剩的記憶體容量。DDR4 改朝換代之後，廠商數量銳減，活下來的公司也不再打價格戰，直到最近需求疲軟…… 繼續閱讀..
搭載 Helio P90 處理器 OPPO 手機下首發上市，有助聯發科營收 |
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作者
Atkinson|發布日期
2019 年 05 月 15 日 17:30 |
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2019 年第 1 季營收繳出毛利率時隔 3 年多的時間，再度站上 40% 大關的 IC 設計大廠聯發科，近期又有喜訊捎來。根據中國媒體報導，中國手機品牌 OPPO 首發搭載聯發科 Helio P90 處理器的 Reno Z 機款，預計將在下個月正式上市。市場預計，這對於接下來聯發科的營收將會有所助益。
MCU 廠瑞薩本業 7 年來首虧；工廠停工時間大縮股價飆 |
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作者
MoneyDJ|發布日期
2019 年 05 月 15 日 9:45 |
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微控制器（MCU）巨擘瑞薩電子（Renesas Electronics）14 日於日股盤後公布上季（2019 年 1~3 月）財報：因中國需求軟化、調整流通庫存，拖累顯示本業獲利狀況的合併營益自去年同期的盈餘 233.65 億日圓轉為虧損 12.60 億日圓，就歷年 1~3 月的情況來看，本業為 7 年來（2012 年）首度陷入虧損；顯示最終獲利狀況的合併純益也自去年同期的盈餘 186.40 億日圓轉為虧損 18.33 億日圓，就歷年 1~3 月的情況來看，為 5 年來（2014 年）首度陷入虧損。 繼續閱讀..
長江存儲今年底量產 64 層 3D NAND 產品，2020 年擴產恐衝擊 NAND Flash 價格 |
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TechNews|發布日期
2019 年 05 月 14 日 15:10 |
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由於中美貿易摩擦影響，中國兩大 DRAM 廠發展腳步已明顯放緩，根據 TrendForce 記憶體儲存研究（DRAMeXchange）研究指出，做為 NAND Flash 發展主力的長江存儲，今年底前將依照進程正式量產 64 層 Xtacking 3D NAND 產品，隨著長江存儲 2020 年產能逐步擴大，預計將對全球 NAND Flash 市場供給與價格帶來衝擊。 繼續閱讀..
英特爾不打算擴產 Nand Flash，但計劃遷移 3D XPoint 產線至中國 |
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作者
Atkinson|發布日期
2019 年 05 月 14 日 14:15 |
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根據國外科技媒體《Anandtechi》報導，由於 NAND Flash 市場當前供過於求的情況，造成市場價格不斷下跌。因此英特爾（intel）決定 2019 年降低 NAND Flash 的產量。據英特爾執行長 Bob Swan 之前投資公告表示，英特爾未來短時間不會增加 NAND Flash 產能。因與記憶體大廠美光（Micron）拆夥，英特爾決定把 3D XPoint / Optane 等 Flash 生產線移至中國。
