Tag Archives: NAND

不用 EUV 也能直上 5 奈米，鎧俠與合作夥伴欲先導入量產
作者 |發布日期 2021 年 10 月 22 日 15:50 |
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分類 IC 設計 , 晶片 , 會員專區

半導體製程技術進入 10 奈米節點後，EUV 曝光設備是不可或缺的步驟，但 EUV 曝光設備每台價格高達 1.5 億美元，且產量有限，讓晶片生產成本驟升。為解決問題，日本記憶體大廠鎧俠（Kioxia）聯合合作夥伴開發新技術，可不使用 EUV 曝光設備就直達 5 奈米。

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記憶體寒冬來了？美光財測低於預期，估 NAND、DRAM 出貨短期下滑
作者 |發布日期 2021 年 09 月 29 日 8:36 |
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分類 晶片 , 會員專區 , 記憶體

記憶體大廠美光 28 日公布 2021 財年第四季財報及 2022 年第一季財測，營收 82.7 億美元，稀釋後 EPS 為 2.42  美元，均高於分析師預期。然而美光第一季財測低於分析師預期，警告 PC 客戶面臨其他零組件短缺，所以記憶體晶片的出貨量在短期內將出現下滑。
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展現 176 層 NAND 與 1α 製程 DRAM 領先優勢，美光為 DC、車用與終端領域釋放數據力量
作者 |發布日期 2021 年 06 月 11 日 16:00 |
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分類 5G , AI 人工智慧 , 晶片

身處資料經濟時代裡，企業成敗關鍵就在於運用潛藏在數據背後的洞見與力量，記憶體與儲存方案的領導者 Micron 美光科技日前在台北國際電腦展分享，如何透過創新記憶體和儲存技術，讓資料中心到智慧終端的運算性能再進化，並在徹底發揮 AI 與 5G 創新應用動能後，全面加速數據洞見與智慧化進程的願景。該公司也在盛會上發表一系列全球首款基於 176 層 NAND 與 1α DRAM 技術的記憶體與儲存產品，以及全球第一款支援 UFS 3.1 介面的車用儲存方案。
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NAND 將以年 30% 速度成長！WD：若加鎧俠，略超三星
作者 |發布日期 2021 年 05 月 10 日 10:00 |
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分類 國際貿易 , 晶片 , 記憶體

NAND 型快閃記憶體（Flash Memory）需求旺，美國半導體大廠 Western Digital（WD）預估今後需求將持續以每年 30% 以上的速度呈現成長，且稱和合作夥伴、全球第 2 大 NAND Flash 廠鎧俠（Kioxia，舊稱東芝記憶體）的市佔率加起來將略超三星。而WD 憂心美中對立、不希望全球因此產生多個技術體系。 繼續閱讀..

美光宣布旗下 1α 製程技術 DRAM 正式量產供貨
作者 |發布日期 2021 年 01 月 27 日 13:40 |
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分類 會員專區 , 記憶體 , 零組件

全球記憶體大廠美光科技 27 日宣布，採用全球最先進 DRAM 製程技術 1α （1-alpha） 製程生產的 DRAM 產品已量產供貨，位元容量、功耗與效能均獲得顯著提升。此一里程碑進一步鞏固了美光的競爭優勢，美光先前已達成推出全球最快的 GDDR6X 繪圖記憶體，176 層 NAND 快閃記憶體等產品供貨，領先業界。

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出售 NAND Flash 的英特爾，儲存業務依然「風騷」
作者 |發布日期 2020 年 12 月 20 日 8:00 |
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分類 儲存設備 , 記憶體

12 月 15~16 日，英特爾舉辦記憶體儲存日線上活動，重磅發表 6 款全新記憶體和儲存產品，包括 2 款 Optane 固態硬碟（SSD）、3 款採用 144 層儲存單元的全新 NAND 固態硬碟以及即將發表的第三代英特爾 Optane 持續性記憶體，即使隔著螢幕也能感受到英特爾撲面而來的「殺氣」。 繼續閱讀..