電動車 800V SiC 高壓平台發展動態 |
作者
TrendForce 集邦科技|發布日期
2022 年 11 月 01 日 7:30 |
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800V 高壓快充方案已成為電動車製造商解決充電焦慮與續航焦慮的主流選擇，SiC MOSFET 憑耐高溫、高壓等物理特性，800V 電驅系統主逆變器完全取代 Si IGBT。 繼續閱讀..
SiC 垂直一體化廠商分析 |
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作者
TrendForce 集邦科技|發布日期
2022 年 08 月 29 日 7:15 |
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為確保供應鏈高度穩定，IDM 大廠已陸續切入上游襯底材料環節，並積極邁向 8 吋以進一步降低成本。
化合物半導體關鍵設備發展動態 |
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作者
TrendForce 集邦科技|發布日期
2022 年 07 月 19 日 8:15 |
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SiC 在汽車電動化趨勢中迎來黃金 10 年，並在加速滲透進光伏逆變器等工業場景。
從光伏儲能應用角度看第三代半導體發展狀況 |
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作者
TrendForce 集邦科技|發布日期
2022 年 05 月 12 日 7:30 |
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隨著全球環境不斷惡化與化石能源耗盡，世界各國都紛紛找尋適合人類生存發展的新型能源，建設光伏儲能項目是當下實行能源轉型的重要措施。第三代半導體具有高頻、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射等特性，能促進光伏儲能逆變器走向高效、高可靠性、低成本化，推動能源綠色低碳發展。
第三類半導體當紅炸子雞，前瞻布局攜手產、官、研積極投入 |
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作者
Atkinson|發布日期
2022 年 03 月 18 日 13:00 |
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針對近期半導體產業中最關注的第三類半導體發展狀況，日前一場結合產、官、研的研討會，以「第三類半導體前瞻布局──材料、應用、供應鏈」為題就吸引了滿場的業界人士前來參加，顯示第三類半導體受當前受到重視的程度。其中，最先引題演說的 TrendForce 分析師曾冠瑋就表示，第三類半導體目前最具發展潛力的材料即為具備高功率及高頻率特性的寬能隙（Wide Band Gap，WBG）半導體，包含碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN），主要應用大宗為電動車、快充市場。據 TrendForce 研究推估，第三類功率半導體產值將從 2021 年的 9.8 億美元，至 2025 年將成長至 47.1 億美元，年複合成長率達 48%。
