Tag Archives: 3d nand

宇瞻科技發表微型抗震 SV170-µSSD 搭載 3D NAND,全面提升容量與速度

作者 |發布日期 2018 年 09 月 03 日 13:50 |
分類 儲存設備 , 市場動態 , 晶片

全球工控記憶體品牌 Apacer 宇瞻科技看好物聯網的大數據與快數據,以及近來物聯網邊際運算與儲存等對大容量、高速讀寫、且兼具高效能的需求急速攀升,推出以最新技術 3D NAND 打造的工控級超小型嵌入式儲存裝置 SV170 -µSSD,突破 2D 平面瓶頸提升儲存容量,同時封裝整合控制器與快閃記憶體挑戰空間極限,積極搶攻全球虛擬化應用、網路設備、工業自動化監控、國防應用,以及智慧車載等市場;而 SV170 -µSSD 的微型化特色更能完美導入於嵌入式系統與輕薄型運算裝置,加速以數據為中心的各種應用需求,持續挹注新一波儲存熱潮。 繼續閱讀..

產能壓力與廠商策略性搶市,第二季企業級 SSD 合約價均價續跌一成

作者 |發布日期 2018 年 05 月 17 日 14:05 |
分類 記憶體 , 零組件

根據 TrendForce 記憶體儲存研究(DRAMeXchange)調查指出,企業級 SSD 市場近年來受惠於資料中心、AI、大數據、5G、邊緣運算等成長題材帶動,出貨量從 2016 年的不到 2,000 萬台規模,成長至今年有機會挑戰 3,000 萬台水準。若是以企業級 SSD 位元出貨量來看,2016 年至 2018 年間,年成長率都超過 50%,在所有 NAND Flash 應用產品中,成長動能最為強勁,未來 3 年內仍會維持高速成長的步調。 繼續閱讀..

中國首批 32 層 3D NAND 快閃記憶體晶片料今年內量產

作者 |發布日期 2018 年 04 月 12 日 11:00 |
分類 中國觀察 , 晶片 , 記憶體

新華社報導,中國位於武漢「中國光谷」的國家記憶體基地專案晶片生產機台 11 日正式進場安裝,這表示國家記憶體基地從廠房建設階段進入量產準備階段,中國首批擁有完全自主智慧財產權的 32 層 3D NAND 快閃記憶體晶片將於年內量產,填補中國在主流記憶體領域的空白。 繼續閱讀..

全球晶圓設備支出再創連 4 年大幅成長紀錄

作者 |發布日期 2018 年 03 月 13 日 10:55 |
分類 市場動態 , 晶片 , 零組件

根據 2018 年 2 月 28 日公布的「全球晶圓廠預測報告」(World Fab Forecast)最新內容中指出,2019 年全球晶圓廠設備支出將增加 5%,連續第 4 年呈現大幅成長(見下圖)。除非原有計畫大幅變更,中國將是 2018、2019 年全球晶圓廠設備支出成長的主要推手。全球晶圓廠投資態勢強勢,自 1990 年代中期以來,業界就未曾出現設備支出金額連續 3 年成長的紀錄。 繼續閱讀..

擴產與淡季影響,2018 年第一季 NAND Flash 產業供過於求致價格走跌

作者 |發布日期 2017 年 12 月 11 日 14:25 |
分類 儲存設備 , 記憶體 , 財經

根據 TrendForce 記憶體儲存研究(DRAMeXchange)研究指出,2018 年第一季在需求端面臨傳統淡季的衝擊,預計智慧型手機、平板電腦裝置量需求將較 2017 年第四季下跌逾 15%,而伺服器需求相對持平,整體位元需求量較 2017 年第四季呈現 0~5% 下跌。另一方面,NAND Flash 供應商仍持續提升 3D-NAND Flash 的產能及良率,位元產出成長亦較第四季高於 5%,預期 NAND Flash 市場將進入供過於求態勢,2018 年第一季固態硬碟、NAND Flash 顆粒及 wafer 等合約價皆將翻轉走跌。 繼續閱讀..

2018 年 NAND Flash 供給年增 42.9%,供需由緊俏轉為平衡

作者 |發布日期 2017 年 09 月 27 日 14:25 |
分類 Samsung , 記憶體 , 財經

根據 TrendForce 記憶體儲存研究(DRAMeXchange)指出,2017 年 NAND Flash 產業需求受智慧型手機搭載容量與伺服器需求的帶動,加上供給面受到製程轉進進度不如預期的影響下,供不應求的狀況自 2016 年第 3 季起已持續六季;2018 年 NAND Flash 供給將增加 42.9%,需求端將成長 37.7%,整體供需狀況將由 2017 年的供不應求轉為供需平衡。 繼續閱讀..

東芝宣布出售予美日聯盟,加速提升 3D NAND 產能追趕三星

作者 |發布日期 2017 年 09 月 21 日 10:00 |
分類 晶片 , 記憶體 , 零組件

TrendForce 記憶體儲存研究(DRAMeXchange)指出,東芝公司已正式在 9 月 20 日分拆記憶體業務,決定將旗下半導體事業以 2 兆日圓出售給由美國私募股權業者貝恩資本(Bain Capital)代表的美日聯盟,由於此出售案較預期延宕,對於 NAND Flash 市場的產能影響,預期要到明年上半年才會趨於明顯;中長期而言,在資金到位的情況下,將有助東芝在 3D-NAND 產能與技術上力拚三星。 繼續閱讀..

3D NAND 結合 TSV 技術,東芝快閃記憶體容量上看 1TB

作者 |發布日期 2017 年 07 月 13 日 8:10 |
分類 記憶體 , 零組件

東芝(TOSHIBA)旗下快閃記憶體部門,最近常因分拆、出售消息上新聞版面,但是技術突破並未因此停歇。稍早前才發表包含 96 層堆疊的 3D NAND,以及首款基於 3D NAND 製程生產的 QLC 類型顆粒等消息;而 11 日,東芝又再宣布 3D NAND 結合 TSV 技術,單一顆粒容量將能達到 1TB。 繼續閱讀..