海力士 72 層 3D NAND 記憶體，傳 2017 年領先全球量產 |
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MoneyDJ|發布日期
2016 年 12 月 26 日 15:00 |
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SK 海力士最先進 72 層 3D NAND 記憶體傳明年開始量產，韓聯社 26 日引述知情人事消息報導指出，海力士計劃於 2017 上半年完成晶片設計，位在利川（Icheon）的 M14 廠將可在下半年開始生產。 繼續閱讀..
2017 年中國將推自主生產 32 層堆疊 3D NAND 快閃記憶體 |
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作者
Atkinson|發布日期
2016 年 10 月 20 日 12:40 |
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隨著當前智慧型手機、SSD 等產品的市場需求強烈，包括快閃記憶體、記憶體等儲存晶片需求大量成長，近期價格也擺脫低潮，持續上漲，這樣的機會點這也給了中國相關企業介入儲存晶片市場的發展契機。根據外電的報導，在這波儲存晶片的熱潮下，中國本身也將在 2017 年推出 32 層堆疊的 3D NAND 快閃記憶體。雖然，這樣的技術相較南韓三星、日本東芝等國際大廠來說仍有落差，但總是為中國快閃記憶體市場跨出第一步。
北美半導體景氣復甦加速，B/B 值連 8 個月逾 1 |
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MoneyDJ|發布日期
2016 年 08 月 24 日 9:15 |
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國際半導體設備材料協會（SEMI）23 日公布，7 月北美半導體設備製造商接單金額來到 17.9 億美元，高於前月的 17.1 億美元；訂單出貨比（Book-to-Bill Ratio，B/B 值）則從前月的 1.0 進步至 1.05。 繼續閱讀..
三星擬擴產 3D NAND？外資：2017 年產能將拉高近 4 成 |
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MoneyDJ|發布日期
2016 年 06 月 16 日 16:10 |
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南韓經濟日報（Korea Economic Daily）15 日報導，三星電子（Samsung Electronics Co.）打算在 2017 年底前擴充 3D NAND 型快閃記憶體產能，總共要斥資 25 兆韓圜，主要擴產的是位於中國西安的廠房，預定今年稍晚會於該廠新設一條 3D NAND 生產線，另外還將在南韓平澤市的廠房投入資本。雖然根據韓國時報報導，三星電子已在 15 日稍早否認上述消息，宣稱 3D NAND 的投資內容尚未敲定，但分析師似乎認為韓媒的報導內容相當可信。 繼續閱讀..
強力參戰！英特爾推出 4 款 SSD 新系列挑戰容量與效能 |
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數位時代|發布日期
2016 年 04 月 04 日 12:00 |
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電腦晶片巨人英特爾（Intel）於美西時間 3 月 31 日在舊金山舉辦 Intel Cloud Day，發表多款伺服器級用 CPU、記憶體，並發表其自去年開始整合旗下多項不同雲端產品與終端解決方案的雲戰略：Intel Cloud for all（英特爾全雲方案），與其定義的「軟體定義基礎設施（Sofeware Define Infrastructure）」。 繼續閱讀..
3D NAND、10 奈米製程與 DRAM 將成晶圓廠設備支出成長主要動力 |
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TechNews|發布日期
2016 年 03 月 14 日 15:00 |
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SEMI（國際半導體產業協會）公布最新「SEMI 全球晶圓廠預測」（SEMI World Fab Forecast）報告，2016 年包括新設備、二手或專屬（in-house）設備在內的前段晶圓廠設備支出預期將增加 3.7%，達 372 億美元，而 2017 年則將再成長 13%，達 421 億美元。另方面，2015 年晶圓廠設備支出為 359 億美元，較前一年微幅減少 0.4%。 繼續閱讀..
TechNews 科技早報 – 20150904 |
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technewsdaily|發布日期
2015 年 09 月 04 日 9:45 |
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DRAM今年成長20% 3D NAND 50%
應用材料集團台灣區總裁余定陸指出，半導體大環境比預期來得冷一點，能見度不是很高，今年較去年持平或有下修風險，不過因DRAM及NAND的成長抵銷晶圓代工…
