根據最新市場消息指出,晶片大廠高通(Qualcomm)極可能在其下一代旗艦處理器中,導入競爭對手三星(Samsung)所開發的創新散熱技術 HPB,以解決日益嚴峻的晶片散熱問題。
疑似設計圖流出,高通可望採用三星 HPB 提升處理器散熱效能 |
| 作者 Atkinson|發布日期 2026 年 02 月 10 日 13:40 | 分類 Samsung , 半導體 , 處理器 |
Navitas 推 10kW 全 GaN DC-DC 平台,瞄準 AI 資料中心 HVDC 電源架構 |
| 作者 蘇 子芸|發布日期 2026 年 02 月 10 日 11:08 | 分類 半導體 | edit |
功率半導體業者 Navitas Semiconductor 宣布推出 10kW 全 GaN DC-DC 電源平台,峰值效率達 98.5%、開關頻率達 1MHz,並在全磚尺寸封裝中實現 2.1 kW/in³ 的功率密度,鎖定新一代 AI 資料中心朝向 800V 高壓直流(HVDC)架構的電力需求。 繼續閱讀..
矽晶圓也能像光纖傳光?加州理工學院創新技術掀革命 |
| 作者 TechNews 編輯台|發布日期 2026 年 02 月 10 日 10:50 | 分類 光電科技 , 半導體 , 晶圓 | edit |
加州理工學院(Caltech)的科學家們於 2 月 9 日成功開發出一種新方法,能在矽晶圓上導引光線,並在可見光波段實現接近光纖的低訊號損失。這項突破為新一代超高相干且高效率的光子積體電路(PICs)鋪平道路,預期將對精密量測、AI 資料中心通訊,以及量子運算等多種晶片應用產生深遠影響。
工研院先進半導體研發基地破土,台積電捐助設備定 2027 年完工 |
| 作者 Atkinson|發布日期 2026 年 02 月 10 日 10:35 | 分類 半導體 , 材料、設備 | edit |
經濟部攜手國發會、國科會共同打造的「先進半導體研發基地」,10 日於工研院中興院區正式動土、藉由晶創台灣方案的支持,基地內將設有「先進半導體試產線」,2027 年底完工後,將提供「IC 設計創新試產驗證」、「先進半導體製程開發」、「設備材料在地化驗證」三項服務,有效降低中小型 IC 設計公司與新創公司的驗證門檻,協助國內材料及設備業者強化競爭力,並超前部署 AI 晶片、矽光子、量子等前瞻技術,開創半導體創新研發生態系,並強化台灣在全球半導體產業的關鍵地位。
