Tag Archives: 記憶體

長江存儲遭列清單,市場質疑三星藉此漲 NAND Flash 合約價?

作者 |發布日期 2022 年 12 月 21 日 14:40 | 分類 IC 設計 , Samsung , 中國觀察

外媒報導,在中國記憶體廠長江存儲被美國商務部列入限制出口的實體清單之後,三星在 12 月上旬就將其 3D NAND Flash 快閃記憶體合約價格提高了 10% 。這原因是因為一些 PC OEM 廠商停止與長江存儲的合作,轉向其他記憶體製造商購買 3D NAND Flash,使得市場需求增加,也使得三星進一步提高報價。對此,有市場人士質疑,2022 年第四季 3D NAND Flash 合約價已下跌 20%,加上市場庫存仍高,調漲價格的情況根本不可能。

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中國 1 兆人民幣補助半導體恐再現削價競爭,美國計劃加強立法限制

作者 |發布日期 2022 年 12 月 14 日 9:20 | 分類 中國觀察 , 半導體 , 國際貿易

路透社報導,美國聯合荷蘭與日本推出新一波中國半導體設備出口管制,中國購買半導體成熟製程設備會更困難,故中國政府提出 1 兆人民幣補助各半導體企業,讓美國擔心中國企業利用龐大政府補助,又會掀起成熟製程半導體價格戰,使其他國家企業無法生存。

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群聯 PCIe 4.0 8TB SSD 儲存方案上太空,助月球資料中心建構任務

作者 |發布日期 2022 年 12 月 08 日 10:50 | 分類 IC 設計 , 半導體 , 晶片

記憶體控制晶片廠商群聯宣布,其 8TB M.2 2280 SSD 儲存解決方案已完成客戶 Lonestar 歷史性的第一個月球資料中心 (Data Center) 登月任務所需的飛行認證測試 (Flight Qualification Tests):NASA TRL-6 認證。而 2023 下半年的 NASA 月球資料中心建構登月任務,將由資料儲存與邊緣運算服務公司 Lonestar、太空工程設計與製造公司 SkyCorp 以及群聯共同助力。

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美國才宣布制裁,長江存儲隨即量產 232 層堆疊 3D NAND Flash

作者 |發布日期 2022 年 12 月 01 日 11:15 | 分類 半導體 , 晶片 , 會員專區

美國限制生產 128 層堆疊以上 NAND Flash 快閃記憶體的設備與技術出口中國後,現在消息指中國長江存儲 2022 年閃存峰會(FMS)將發表採用 Xtacking 3.0 架構、232 層堆疊的第四代 3D TLC NAND Flash 快閃記憶體量產,品名為 X3-9070。相較上一代產品,X3-9070 有更高儲存密度及更快 I/O 速度。

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長江存儲恐列貿易黑名單,晶片戰廠商怎麼看?

作者 |發布日期 2022 年 11 月 17 日 14:00 | 分類 中國觀察 , 國際貿易 , 晶片

中國記憶體晶片大廠長江存儲已在 10 月份被美國官方列為無法審查的清單,在經過調查,據外媒報導,長江存儲及數十家中企,恐怕在 12 月遭美列入貿易黑名單,對中美晶片貿易戰對記憶體產業的影響和看法,國內業界則有不同看法,但若以長遠來看,因無法取得設備以及研發資源,此波中美晶片戰可先讓中國先進製程的投資降溫或進度放緩,也要觀察中國的因應之道。 繼續閱讀..

焦佑鈞:美國制裁中國對華邦電影響不大,未來積極布局汽車電子

作者 |發布日期 2022 年 11 月 12 日 18:35 | 分類 IC 設計 , 半導體 , 晶片

記憶體廠華邦電於 12 日舉辦睽違兩年的家庭日,董事長焦佑鈞及總經理陳沛銘都親自出席參加。焦佑鈞在活動中接受媒體聯訪時被問到歐美企業大規模裁員情況時指出,那是歐美企業的文化,台灣企業比較不會做這樣的決定。而談到市況,焦佑鈞則是強調 2022 年下半年的確很不好,而 2023 年預計也不會有特別好的情況。因此,自 2022 年第四季起,台中廠將啟動減產,規模預計 3~4 成。而針對高雄廠的部分,首階段 1 萬片的量產預計 2022 年底或 2023 年 1 月就會完成。至於,後續的另外 1 萬片則會遞延到 2023 年下半年裝機,預計遞延半年的時間。

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