英特爾亮相採 HBM 之 Sapphire Rapids 處理器，小晶片架構以 BGA 封裝 |
作者
Atkinson|發布日期
2021 年 10 月 18 日 11:20 |
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2020 年英特爾確認第四代 Xeon 可擴充處理器，也就是 Sapphire Rapids 處理器將支援高頻寬記憶體 (HBM)，但英特爾沒有透露細節。外媒《TomsHardware》報導，近期國際微電子暨構裝學會 (IMAPS) 主辦的的國際微電子研討會，英特爾首次展示採用 HBM 記憶體的 Sapphire Rapids 處理器，並確認採用 chiplet 小晶片設計。
展現 176 層 NAND 與 1α 製程 DRAM 領先優勢，美光為 DC、車用與終端領域釋放數據力量 |
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作者
Evan|發布日期
2021 年 06 月 11 日 16:00 |
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身處資料經濟時代裡，企業成敗關鍵就在於運用潛藏在數據背後的洞見與力量，記憶體與儲存方案的領導者 Micron 美光科技日前在台北國際電腦展分享，如何透過創新記憶體和儲存技術，讓資料中心到智慧終端的運算性能再進化，並在徹底發揮 AI 與 5G 創新應用動能後，全面加速數據洞見與智慧化進程的願景。該公司也在盛會上發表一系列全球首款基於 176 層 NAND 與 1α DRAM 技術的記憶體與儲存產品，以及全球第一款支援 UFS 3.1 介面的車用儲存方案。
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【COMPUTEX 2021】記憶體品牌模組廠秀新品，DDR5 是關鍵 |
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作者
MoneyDJ|發布日期
2021 年 06 月 01 日 10:40 |
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因應全球新冠肺炎 COVID-19 疫情持續肆虐全球，COMPUTEX 今年仍取消實體展覽，轉成線上雙平台展，展出日期自 5 月 31 日起至 6 月 30 日，國內記憶體模組品牌大廠紛在此時透過 COMPUTEX 或其他方式加碼行銷，今年記憶體模組廠商不約而同以「DDR5」、「散熱」等為主題，可看出在高速資料傳輸的過程，記憶體產品的發展趨勢。 繼續閱讀..
SK 海力士推出全球首款 DDR5 DRAM，但要普及還需再等等 |
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作者
Atkinson|發布日期
2020 年 10 月 06 日 17:30 |
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南韓記憶體大廠 SK 海力士於 6 日宣布，推出全球首款 DDR5 DRAM 產品。SK 海力士指出，新一代的 DDR5 DRAM 支援 4800~5600 Mbps 的傳輸速率，比上一代 DDR4 快 1.8 倍，頻寬也高達 4 1.6GB/s，可以每秒傳輸 9 部高解析度的電影。而且支援 ECC 偵錯功能，可以自行更正 1 bit 級的資料錯誤，運行電壓為 1.1V，相比 DDR4 的 1.2V 更節能。
