半導體製程技術進入 10 奈米節點後,EUV 曝光設備是不可或缺的步驟,但 EUV 曝光設備每台價格高達 1.5 億美元,且產量有限,讓晶片生產成本驟升。為解決問題,日本記憶體大廠鎧俠(Kioxia)聯合合作夥伴開發新技術,可不使用 EUV 曝光設備就直達 5 奈米。
Category Archives: 零組件
紐時:喪失外界信任,中國難以複製台積電成功 |
| 作者 中央社|發布日期 2021 年 10 月 21 日 11:55 | 分類 中國觀察 , 國際觀察 , 國際貿易 |
《紐約時報》專欄作家佛里曼以「中國霸凌行為對自身與世界構成威脅」為題,指中國領導人習近平近來種種行為不僅危及自身與全球,也突顯中國永遠無法複製台積電的成功。 繼續閱讀..

第四代半導體氧化鎵為何值得期待?有何優勢與前景? |
| 作者 TechNews|發布日期 2021 年 10 月 21 日 10:00 | 分類 晶圓 , 零組件 |
隨著以 SiC 與 GaN 為主的第三代半導體應用逐漸落地,被視為第四代之超寬能隙氧化鎵(Ga2O3)和鑽石等新一代材料,成為下一波矚目焦點,特別是 Ga2O3 在超高功率元件應用有著不容小覷的潛力,而其優勢與產業前景又究竟為何?(本文出自國立陽明交通大學電子研究所的洪瑞華特聘教授,於閎康科技「科技新航道 | 合作專欄」介紹「第四代半導體 Ga2O3 技術原理、優勢與產業前景」文稿,經科技新報修編。) 繼續閱讀..



