Category Archives: 晶圓

聯電 2022 年首季每股賺 1.61 元,持續擴大車用電子市場

作者 |發布日期 2022 年 04 月 27 日 17:30 | 分類 晶圓 , 晶片 , 會員專區

晶圓代工大廠聯電今日舉行法人說明會,公布 2022 年第一季營運報告,合併營收為新台幣 634.2 億元,較 2021 年第四季 591 億元成長 7.3%,較 2021 年同期 471 億元成長 34.7%。第一季毛利率為 43.4%,歸屬母公司淨利 198.1 億元,普通股每股 EPS 為 1.61 元。

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2021 年全球前十大半導體企業拿 57% 營收,聯發科衝上第八

作者 |發布日期 2022 年 04 月 27 日 12:15 | 分類 IC 設計 , 晶圓 , 晶片

市場研究及調查機構 IC Insights 最新研究報告顯示,不含純晶圓代工廠,2021 年全球前 50 大半導體供應商占全球半導體營收 6,146 億美元的 89%,比 2010 年前 50 大佔 81% 增加 8 個百分點。前五、前十及前 25 大半導體供應商 2021 年占比較 2010 年增加 8、9、和 11 個百分點。未來預計會有更多併購案,IC Insights 認為,合併結果可能更推升頂級供應商占比。

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半導體埃米時代生產利器,imec 展示最新 High-NA EUV 技術進展

作者 |發布日期 2022 年 04 月 27 日 10:40 | 分類 IC 設計 , 晶圓 , 晶片

全球半導體技術研究重鎮的比利時微電子研究中心(imec),日前國際光學工程學會(SPIE)先進曝光微影成形技術會議,展示 High-NA(高數值孔徑)曝光技術的大進展,含顯影與蝕刻製程的開發、新興光阻劑與塗料測試、量測與光罩技術最佳化等。因 imec 與台積電、英特爾等國際大廠密切合作,業界預期先進製程 2025 年後進入埃米(angstorm)時代,High-NA 曝光技術將是關鍵。

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張忠謀批美在地生產浪費錢,日媒:台積電強大技術之外還擅長「施壓」

作者 |發布日期 2022 年 04 月 27 日 8:00 | 分類 人力資源 , 晶圓 , 零組件

在美方積極要求下,台積電正在美國亞利桑納州建立新工廠。但日前台積電創辦人張忠謀在美國霍普金斯學會活動中卻公開批評,在美國生產晶圓是昂貴浪費且徒勞無功的事。對此,《日經中文網》報導,台積電早在 2020 年便進駐美國,但至今美國承諾的鉅額補貼卻遲沒有下文,認為張忠謀正在巧妙的向美國施壓,要求盡快發出設廠補貼。

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連 5 季來新高!德微首季獲利 1.08 億元,年增 138.84%

作者 |發布日期 2022 年 04 月 26 日 17:08 | 分類 晶圓 , 會員專區 , 材料、設備

二極體廠德微科技今日公告,受惠產品組合優化及製程改善成本下降,今年首季獲利達 1.08 億元,年增 138.84%,每股稅後盈餘(EPS) 2.44 元,創連 5 季新高。展望第 2 季,德微指出,自動化新產能將在第 2 季與第 3 季陸續開出,法人看好德微第 2 季營運有望續創新高。

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中國國產 8 吋晶圓產能與需求開始釋放

作者 |發布日期 2022 年 04 月 26 日 7:30 | 分類 中國觀察 , 技術分析 , 晶圓

目前中國晶圓製造廠商有 17 家正在擴產,產能已逐步開始釋放,但擴產行列中主要以 12 吋晶圓產能為主,8 吋晶圓產能只有中芯國際(天津)、海辰半導體、紹興中芯、寧波中芯、士蘭微(杭州)與比亞迪 6 家廠商在擴產,從產能來看,新建產能將在 2022 年內陸續得到釋放。 繼續閱讀..

近三年占比僅個位數,台積電不背買光綠電黑鍋,最大買家是公部門

作者 |發布日期 2022 年 04 月 25 日 17:00 | 分類 晶圓 , 晶片 , 會員專區

節能減碳議題越來越受重視,購買綠電也成為企業不論供應鏈管理或產品生產的焦點。國內再生能源綠電最大買家晶圓代工龍頭台積電,近來市場屢傳「綠電都被台積電買光」消息,公司高層希望澄清說法,指出國內再生能源綠電發電總量,台積電近三年即便是最大買主,占比也僅個位數,最大綠電收購其實是公部門台電,與「綠電都被台積電買光」明顯有落差。

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應材推出運用 EUV 延展 2D 微縮與 3D 閘極全環電晶體技術

作者 |發布日期 2022 年 04 月 25 日 14:15 | 分類 IC 設計 , 晶圓 , 晶片

美商應材公司今日表示,策略是成為「PPACt 推動公司」 (PPACt enablement company)。因此,新發表七項創新技術,其目的就是要協助客戶運用 EUV 以持續進行 2D 微縮。新一代 GAA 電晶體的製造方式與當前的 FinFET 電晶體有所不同,以及應材備妥為 GAA 的製造提供業界最完整的產品組合,包括在磊晶、原子層沉積、選擇性去除材料的新步驟及兩種新整合性材料解決方案 (Integrated Materials SolutionsTM) 的情況下,藉此產生合適的 GAA 閘極氧化層與金屬閘極。

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